为了在更高的电源电压下工作，并便于匹配网络的设计，电路采用两级共源共栅架构。采用自偏置技术放宽功放的热载流子降低的限制并减小采用厚栅晶体管所带来的较差的射频性能。同时使用带隙基准产生一个稳定且独立于工艺和温度变化的直流基准。采用SMIC 0.18 μm RF CMOS工艺进行设计，该功率放大器的中心工作频率为2.45 GHz，并利用Cadence公司的spectreRF进行仿真。仿真结果显示，在3.3 V工作电压下，最大输出功率为30.68 dBm，1 dB压缩点处输出功率为28.21 dBm，功率附加效率PAE为30.26%。所设计的版图面积为1.5 mm×1 mm。

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中国科学技术大学研究生课程李曦老师的嵌入式系统设计方法，课程实验题目：μCOSII系统性能分析，测试了STM32上μCOSII的任务切换时间和中断响应时间。内含代码（代码需要理解，但是不难，理解之后根据测试需要把某些代码注释掉）和实验报告PPT，仅供参考。

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ucOS-II_RMS_EDF_shared资源 基于μcOS-II实时操作系统源码实现RMS和EDF调度（考虑共享资源） 博文链接： :