关特马尔 使用kant产生的散射矩阵，计算由于mar引起的偏向约瑟夫森结中的准粒子电流。

MIC电阻偏置电阻的设置分析，非常好的资料，强烈推荐

用于纳米级FinFET可靠性仿真的紧凑型负偏置温度不稳定性模型

工作原理　　宽带放大器馈电电路，高频受寄生电容参数影响，性能急剧下降，所以馈电需要采用BiasTee。　　  　　BiasTee由超宽带、接近理想化、没有谐振点的高频电感和电容组成。　　隔直电容：隔直流，防止直流电压泄露到后续电路或测试仪器;　　高频电感：隔离交流信息，防止高频信号泄露到供电系统。　　三个端口：　　· 射频端口RF　　· 直流偏置DC　　· 射频和直流RF+DC　　应用场合　　A)宽带放大器　　有的宽带放大器，内部没有隔直电容，且输出端需要供电，需要偏置器(比如HMC460LC5就需要偏置器)。　　  　　有些放大器内部集成隔电容，就不需要额外的偏置器(比如HMC462LP5不

单电源运放的偏置原因分析与偏置方法

三极管放大电路需要合理选择偏置电路，才能建立正常的直流工作点，才能将微弱的交流信号在电路中叠加完成放大作用。为了不失真地放大信号，需要设定一定的直流电流通过三极管基极、集电极、发射极之间，称为偏置电流。同时也需要设定一定的直流电压加在三极管各极之间，称为偏置电压。偏置电路是三极管放大电路的重点，确定了偏置电路电阻值，也就确定偏置电流和偏置电压。我们不仅要能看懂电路原理原理，还要知道电子元件参数是怎么来的。知其然知其所以然，举一反三，触类旁通。如何确定呢？是可以通过计算得出的。下面逐一进行计算讲解：三极管放大电路图一：计算下偏置电阻R2值Ube：三极管基极发射极电压，锗晶体三极管约为0.2V；硅晶体三极管约为0.6-0.7V。三极管8050是硅管，设Ube=0.65V、Ic=Ie=2.5MA、放大倍数Hfe=200，Ib=Ic/Hfe=2.5*10∧-3/200=12.5uA (10∧-3即10的负3次方)设：流过R2电阻的基极电流Ib的10倍，IR2=10*12.5*10∧-6=125uA (10∧-6即10的负6次方)设：Ue为电源电压12V的20%。Ue=12*20%=2.4V，U

为了满足散射计数字处理系统在多通道采样后的数据处理的要求，提出了一种高精度的多通道ADC一致性测量方法。对多通道ADC的幅度一致性、直流偏置一致性和延迟一致性3个重要指标进行了定量分析，并通过开展实验完成了实测数据的采集和分析。实际应用表明，这种测量方法可靠有效，能够为后期误差分析和矫正提供重要的参考依据。

目前电光调制器偏置点自动控制通常采用小信号扰动法,主要应用于高速数字通信,而不适用于模拟信号传输.为此提出了一种迭代算法,通过闭环控制实现调制器最佳偏置点的锁定.从理论上分析了方法的可行性,并搭建了反馈系统.在变温环境中进行了偏置控制实验,结果表明,环境温度变化率为5 ℃/min 时,被测调制器功率抖动小于1.5%,该方法可用于模拟信号的传输.

蕊源电源芯片，RY3715,RY3750替换:矽力杰SY7208、SY7152、芯朋微AP2008.芯源MP1542，MP3213。2.5V至5.5V的输入电压

在本系列第 1 部分《电路测试主要运算放大器参数》一文中，我们介绍了一些基本运算放大器测试，例如失调电压 (VOS)、共模抑制比 (CMRR)、电源抑制比 (PSSR) 和放大器开环增益 (Aol)。本文我们将探讨输入偏置电流的两种测试方法。选择哪种方法要取决于偏置电流的量级。我们将介绍器件测试过程中需要考虑的各种误差源。本系列的下篇文章将介绍一款可配置测试电路，其可帮助您完成本文所介绍的所有测量