设计并研究了一种采用激光打标机在塑料光纤(POF)表面雕刻散射点的侧面均匀发光光纤，可用作自由立体显示器的定向背光光源。通过建立激光打标凹形散射点的POF均匀发光模型，推导了POF均匀发光的散射点坐标计算公式。针对设计的凹形散射点参数，用SolidWorks软件构建侧面发光光纤模型，用TracePro软件进行光线追迹仿真。结果表明，散射点长度半圆心角(用于表征凹形散射点的深度和横向长度)的微小变化对发光亮度均匀度影响较大，而凹形散射点轴向宽度的微小变化对POF侧面发光均匀度影响很小。对各参数进行设计优化后，得到POF半径R=0.25 mm，凹形散射点宽度d=0.15 mm，散射点长度半圆心角θ=15°，POF长度L=600 mm，TracePro软件仿真得到POF侧面发光亮度均匀度为87.5%。根据设计优化后的参数采用激光打标机进行激光雕刻POF表面散射点，得到单根POF的侧面发光亮度均匀度为80.90%。将100根侧面发光POF紧密排布成面光源，得到面光源发光亮度均匀度为88.91%。实验结果表明所提出的设计方法和制作的POF面光源能满足自由立体显示器指向性背光源设计的要求。

基于甲硫氨酸-A修饰的二氧化硅纳米线的发光猝灭的光纤传感元件，用于甲烷检测

MMD用MME发光特效,让你的模型亮闪闪

采用高温固相法制备了一种近紫外和蓝光激发型Ca2BO3ClEu2+黄色发光材料。以460 nm蓝色光为激发源，测得Ca2BO3ClEu2+材料的发射光谱为一单峰宽谱，主峰位于573 nm；监测573 nm发射峰，所得激发光谱覆盖300～500 nm，主峰位于413 nm和475 nm。通过改变Eu2+的掺杂量，研究了材料的晶体结构及发射强度等的变化情况。研究结果显示，Eu2+的掺杂并未影响材料的晶体结构；但发射强度却发生了很大的变化，Eu2+的摩尔分数为2%时，强度最大；利用Dexter理论对Eu2+在Ca2BO3Cl中的浓度淬灭机理进行了研究，得出其为电偶极电偶极相互作用。

日本三菱电机公司中央研究所研制成“超高速面发光型双稳光开关”，是用以构成光计算机并行光信息处理的核心器件。切换两种稳定状态的开关速度，对电输入为12 ps，对光输入为30 ps，比迄今报导的半导体激光的最髙开关速度200 ps要快一个量级。

基于脉冲宽度调制的R/G/B/WW 4 色 发光二极管调光调色方法

到2018年，普通发光二极管（LED）的普及率将达到80%。基于LED的可见光通信(VLC)技术有望为高速VLC的实现提供新方案。国内外研究者们分别对先进调制、编码/均衡、复用技术及材料/芯片等进行了研究，以扩展调制带宽、提高传输速率和增加传输距离。对载波幅相调制、自适应比特功率加载的正交频分复用调制、硬件/软件预均衡、后均衡等技术以及新型光学材料的原理和性能等国际研究热点进行了分析与讨论，对最新的研究进展进行了总结，从而为未来VLC的研究提供一定的参考。

RTutor：交互式R问题集 作者：乌尔姆大学Sebastian Kranz RTutor是一个R包，允许开发交互式R练习。 可以离线解决问题集，也可以使用shinyapps.io将问题集托管在网络中。 问题集可以设计为Markdown .rmd文件（直接在RStudio中解决），也可以使用由RStudio的Shiny支持的基于浏览器的界面。 虽然网络界面看起来更好，但我在教授高级经济课时亲自使用了Markdown格式的问题集。 安装 RTutor和一些必需的程序包不在CRAN上托管（虽然CRAN很棒，但是在其中维护多个程序包会花费很多时间）。 我已经创建了一个基于Github的R存储库，您

光网络超长距解决方案： 单波超长距方案整体能力 155M/622M超长距解决方案 2.5G超长距解决方案 10G超长距解决方案 100G超长距解决方案

随着计算机和信息产业的发展，越来越多的信息内容以数字化的形式丰在、传输和保存。因此对大容量信息存储技术的研究就逐渐升温。激光技术的不断成熟，尤其是半导体激光器的成熟应用，使得光存储从最初的微缩照相发燕尾服成为快捷、方便、容量巨大的存储技术，各种光ROM纷纷亮像，到最近的DVD-ROM发布之时，双面5.25英寸大小已经可以存储10G比特的数据。与磁介质存储相比光存储技术寿命长，非接触式读/写，信息的载噪比（GNR0）高，信息位的价格低，但是不足也是明显的：光盘机价格较贵，传输速率低，重复擦写技术尚不成熟。主要的问题集中在了重复擦写技术上，研究人员针对这个问题展开研究，先后提出了光致变色存储，光谱