mdk for arm 5下实现mini2440的K9F2G08U0C Nandflash烧写算法，实现mdk直接烧写nandflash

本工具采用VS2008编写，能够利用Jlink完成对Nandflash的烧写，方便了那些开发板上只有NandFlash的人。整个过程只需两步，比直接用jlink烧写快。本工具暂时支持对不超过256k的文件进行烧写，主要是用来烧写u-boot。

linux下NandFlash驱动从硬件原理到软件实现，非常详细的解释，感谢作者！ 非常适合刚入门的人了解学习 修订 2.2.1 2015-05-24 crl 修正关于Nand Flash物理架构组成总容量方面的解释 修正其他一些笔误 添加了和Nand Flash相关的一些资料，比如id的命名规则 添加了keyword，第二章所有章节的id 修正了笔误，把"第7000个块中的第25页中的1208字节处"改为"第7000个块中的第64页中的1208字节处"，以及同步修正了相关的数字 添加eMMC,eUSB等接口的简介

mass storage bluk only 源代码，调试记录，笔记

本资源为三星系列Nand Flash芯片K9F5608的驱动代码，用C语言开发，具有良好的编程风格，已经过实际调试验证，可用于实际工程开发。

NAND_flash的控制器代码，能够较好的实现读写擦除的功能，同时带有ECC的纠错模块，这样使得该部分更具趋于完全

stm32 外部flash K9F1G08U0D

• 电源电压 - 1.65V ~ 1.95V - 2.70V ~ 3.60V • 组织结构 - 存储单元阵列: (256M + 8M) x 8bit - 数据寄存器: (2K + 64) x 8bit • 自动的编程(写入)和擦除 - 页编程: (2K + 64)Byte - 块擦除: (128K + 4K)Byte • 页读取操作 - 页面大小 : (2K + 64)Byte - 随机读取 : 25µs(最大.) - 串行访问 : 25ns(最小.) (*K9F2G08R0A: tRC = 42ns(最小)) • 快速编程周期时间 - 页编程时间: 200µs(典型值) - 块擦除时间: 1.5ms(典型值) • 命令/地址/数据复用I/O端口 • 硬件数据保护 • - 编程/擦除在电源转换分离 可靠的CMOS浮栅技术 -耐力: 100K编程/擦除周期(有1bit/512Byte ECC) 数据保存时间: 10 年 • 命令式操作 • 带有1bit/528Byte EDC的智能Copy-Back编程 • 唯一的ID版权保护 • 封装 - K9F2G08R0A-JCB0/JIB0 : 无铅封装 63 - Ball FBGA I (10 x 13 / 0.8 mm 间距) - K9F2G08U0A-PCB0/PIB0 : 无铅封装 48 - Pin TSOP I (12 x 20 / 0.5 mm 间距) - K9F2G08U0A-ICB0/IIB0 52 - Pin ULGA (12 x 17 / 1.00 mm 间距) 本文档提供的为256Mx8bit的版本,K9F2G08X0A是2G-bit大小的NAND Flash存储器，带有64Mbit额外数据区(OOB区、冗余区)。此 NAND存储颗粒为固态存储市场应用提供了最具成本效益的解决方案。编程(写入)操作可以在200µs(典型值)对大小为(2K+64)Byte的页 进行写入，擦除操作可以在1.5ms(典型值)擦除大小为(128K+4K)的块。读取数据寄存器的数据周期时间为25ns(1.8v设备为42ns) 每字 节。I/O端口可以作为地址和数据输入/输出，也可以作为命令输入。芯片上的写控制器自动完成所有的编程和擦除功能包括脉冲重复、 并内部核查和数据余量(如有需要)。即使是写入操作频繁的系统，也可以通过K9F2G08X0A采用实时映射算法的ECC(错误纠正码)来加 强多达的100K编程/擦除周期的可靠性，K9F2G08X0A是一个用于大型非易失性存储应用的最佳解决方案，例如固态文件存储和其他用 于非易失性要求的便携式存储应用。

行业分类-嵌入式设备-嵌入式ARM处理器对NANDFLASH数据存储和删除方法.zip

ONFI 4.2 协议，最新版本的NAND Flash开放标准接口规范，是nand flash硬件设计和驱动开发的必备文档