mellitz_3cd_01_0917.pdf

本文主要探讨了在IEEE P802.3cd任务组中，关于50 Gb/s、100 Gb/s和200 Gb/s以太网标准的讨论内容，特别是有关返回损耗（Return Loss，简称RL）、有效返回损耗（Effective Return Loss，简称ERL）和COM（Component Outline Model，组件轮廓模型）参数变化的问题。文章作者Richard Mellitz来自Samtec公司，其在2017年9月于夏洛特举行的会议上向任务组展示了相关内容，并试图解答与会者提出的问题25、26、27和28。 文档内容涵盖了ERL与返回损耗向量之间的关系、ERL与封装参数之间的相关性、以及封装参数（COM）与ERL/RL之间的联系。具体来说，文中讨论了ERL在何种条件下连接至返回损耗向量，并探讨了ERL与封装参数的相关性。同时，文章也试图分析封装参数（COM）与通道的ERL/RL之间是否存在某种相关性，并给出了针对DOE方法、定义以及相关图形解释的参考资料链接。 此外，文档还详细描述了一个关于ERL的实验。实验中，使用了不同的变量X和Y，其中X变量代表COM封装参数，中心点D为2.1，而Y变量则是计算所得的ERL值。通过实验数据，例如Zc（特征阻抗）、Zd（设备阻抗）、Zp（端口阻抗）、Zt（测试阻抗）、Cd（设备电容）、Cp（端口电容）和ERL（分贝单位），记录了在不同的阻抗和电容值下的ERL结果。 实验结果展示了不同参数设置对ERL的影响，例如Zc、Zd、Zp、Zt的变化对ERL的影响，以及Cd和Cp的变化对ERL的影响。文中通过实验数据的表格形式提供了具体的数值示例，并试图解释这些数值背后的物理意义及其在以太网性能评估中的重要性。 文档最终的目的是为了提出具体的建议，即如何根据实验数据和分析结果，对IEEE 802.3的以太网标准的封装参数进行优化，以期提高传输速率和链路性能。