短耦合腔半导体激光器单纵模工作特性
引入附加损耗参数以反映短耦合腔的影响并利用修正约多模速率方程对短耦合腔半导体激光器单纵模工作机理和特性进行了研究,结果表明:在半导体激光二极管表面镀增透膜将使单模特性得到很大改善.实验验证了理论分析.设计研制的新型器件在连续和150MHz调制工作条件下,稳定单模输出的边模抑制比达到35～40dB.
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