一种超低静态功耗LDO的设计
介绍了一种采用0.35 μm CMOS工艺制作的LDO电路。电路采用工作在亚阈值区的跨导放大器使得电路工作在超低静态电流下，因此实现了超低静态功耗和高效率性能。整个电路所占面积约为0.8 mm2，在典型工作状态下电路总的静态电流约为500 nA，最大负载电流为150 mA。电路输入电压为3.3 V～5 V，输出电压为3 V。
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