MOSFET一级模型(Level=-集成电路器件SPICE模型
MOSFET一级模型(Level=1)
描述I和V的平方率特性, 它考虑了衬底调制效应和沟道长度调制效应.
*
KP=µCox本征跨导参数
Cox =ox/Tox单位面积的栅氧化层电容
LO有效沟道长度, L版图栅长,
LD沟道横向扩散长度
非饱和区
饱和区
文件下载
评论信息
其他资源
- GR_1435_COREi02 中文要点版
- 基于winpcap协议分析器源代码
- 反应谱人工生成地震波
- DFS和BFS的C++实现
- sl-3.03 linux sl命令出现一列火车的源码
- DBN代码案例
- 天地图升级授权API后的ArcGIS图层，已经加载序列号做成图层文件，下载后ArcGIS直接加载
- 俄罗斯方块java版
- git-gcp-源码
- Redis从入门到精通（深入剖析）【55集完整资料】05-redis-安装redis数据库.avi
- HC110110020 Telnet原理与配置.pptx
- 最优二分搜索树（动态规划）
- 收获，不止SQL优化--抓住SQL的本质 高清 PDF
- 武汉大学遥感学院2014复试上机编程题
- 东南大学软件工程试卷14-15-2
- 常用遥感图像增强方法效果对比分析
- 51单片机初级实验篇
- 王桂林老师 cocos2dx课件.pdf
- Matrox_G200eV_Driver_for_Windows_2003_2008_32_64
- MyEclipse6 Java开发中文教程+全部源代码 刘长炯
- java bbs在线论坛系统
- xcode计算器源代码
免责申明
【只为小站】的资源来自网友分享，仅供学习研究，请务必在下载后24小时内给予删除，不得用于其他任何用途，否则后果自负。基于互联网的特殊性，【只为小站】 无法对用户传输的作品、信息、内容的权属或合法性、合规性、真实性、科学性、完整权、有效性等进行实质审查；无论 【只为小站】 经营者是否已进行审查，用户均应自行承担因其传输的作品、信息、内容而可能或已经产生的侵权或权属纠纷等法律责任。
本站所有资源不代表本站的观点或立场，基于网友分享，根据中国法律《信息网络传播权保护条例》第二十二条之规定，若资源存在侵权或相关问题请联系本站客服人员，zhiweidada#qq.com，请把#换成@，本站将给予最大的支持与配合，做到及时反馈和处理。关于更多版权及免责申明参见 版权及免责申明
本站所有资源不代表本站的观点或立场，基于网友分享，根据中国法律《信息网络传播权保护条例》第二十二条之规定，若资源存在侵权或相关问题请联系本站客服人员，zhiweidada#qq.com，请把#换成@，本站将给予最大的支持与配合，做到及时反馈和处理。关于更多版权及免责申明参见 版权及免责申明