高压Trench绝缘栅双极晶体管（IGBT）是一种先进的半导体器件，广泛应用于电力电子领域，如电机驱动、变频器、电源转换等。它的主要优势在于能够承受高电压、处理大电流，并具有低饱和电压、高速开关和优良的热性能。本篇将详细解析高压Trench IGBT的结构设计、工艺设计及其制作过程。 一、结构设计 1. Trench沟槽结构：高压Trench IGBT的核心特征是其独特的Trench沟槽结构。这种结构通过在N型漂移区中刻蚀深而窄的沟槽，形成P+隔离柱，有效降低了通态电阻，提高了器件的开关速度。同时，沟槽结构增强了电场分布的均匀性，提升了器件的耐压能力。 2. 器件层次：典型的高压Trench IGBT包括N+发射极层、P基区、多晶硅栅极、N型漂移区以及顶层金属接触。N+发射极层用于收集电流，P基区提供载流子传输，多晶硅栅极控制器件的导通和截止，N型漂移区决定器件的耐压，顶层金属接触则与外部电路连接。 3. 结构优化：为了进一步提高性能，结构设计中还会考虑减小栅极氧化层厚度、优化漂移区掺杂浓度分布、改善接触电阻等，以降低损耗并提升热稳定性。 二、工艺设计 1. 沟槽刻蚀工艺：采用光刻和干法刻蚀技术，精确控制沟槽的深度和宽度，以实现理想的电场分布和低通态电阻。 2. 区域掺杂工艺：利用离子注入或扩散工艺在特定区域进行掺杂，如在漂移区和基区分别掺杂不同类型的杂质，以调整载流子类型和浓度，达到优化器件性能的目的。 3. 多晶硅栅极制备：通过化学气相沉积（CVD）在栅极区域形成多晶硅层，随后进行刻蚀形成栅极结构。栅极氧化层的生长和钝化也是关键步骤，它决定了栅极的绝缘性能。 4. 表面处理和封装：器件表面的钝化层可以保护内部结构免受环境侵蚀，提高可靠性。封装工艺则确保器件与外部电路的连接稳定，同时具备良好的散热性能。 三、制作流程 1. 基片准备：选择适合的硅片作为基底，进行初始清洗和掺杂处理。 2. 沟槽刻蚀：通过光刻胶掩模，进行干法刻蚀形成沟槽。 3. 掺杂工艺：对基区和漂移区进行离子注入或扩散掺杂。 4. 栅极制备：沉积多晶硅并进行光刻、刻蚀，形成栅极结构，接着生长和处理栅极氧化层。 5. 接触和互联：形成源极、漏极和栅极的金属接触，并进行金属互连，形成外部引脚。 6. 表面处理：进行表面钝化处理，增强器件的耐湿性和抗静电能力。 7. 封装：将裸片进行切割，然后封装成芯片，连接外部引脚，完成最终产品。 总结，高压Trench IGBT的结构设计和工艺设计是其高性能的关键。结构设计中的Trench沟槽、层次布局和优化细节，以及工艺设计中的沟槽刻蚀、掺杂、栅极制备等步骤，共同决定了器件的电气特性和可靠性。通过精心的制作流程，这些设计得以实现，最终制造出高效、可靠的高压Trench IGBT。

特斯拉线圈，这个名字在科学爱好者和DIY项目中占据了特殊的地位。其由尼古拉·特斯拉在19世纪末发明，设计初衷是为了无线能量传输和无线通信。特斯拉线圈能够产生高达数百万伏特的电压，创造出类似于人造闪电的壮观电弧，这一特性让它在今天的爱好者中依然拥有巨大的魅力。 当我们谈到全桥固态特斯拉线圈时，我们指的是使用全桥开关电源作为能量转换控制核心的一种特斯拉线圈设计。这种设计模式下的特斯拉线圈，因为其高效能和良好的控制性能，在DIY爱好者中更为流行。全桥固态特斯拉线圈相比传统的线圈，有更高的安全性和可靠性，因此成为了许多热衷于探索高频高压电子领域的技术发烧友的选择。 要制作一个全桥固态特斯拉线圈，首先需要准备一系列关键的电子元件和材料。这其中包括至少1000W的高压变压器作为能量的源泉，一组无极电容（常组成电容阵列）用来存储和释放电能，以及铜管，它们将被用来制作主线圈和次级线圈。对于电容的挑选，这是制作全桥固态特斯拉线圈时至关重要的一环。电容的大小会直接影响到线圈的工作效率和电弧的长度，其计算方法为：C=(10^6)/(6.2832*(E/I)*F)，其中E表示变压器输出电压，I表示输出电流，F则代表交流频率。 全桥固态特斯拉线圈的构造，一般由主副线圈、电容阵列、放电终端以及驱动电路所组成。主线圈一般采用铜管制作，形成类似蚊香状的盘旋结构，目的是为了最大化地优化电场分布。而次级线圈较小，与主线圈紧密耦合，它的设计将直接决定特斯拉线圈的放电特性。电容阵列由多个电容组成，通过串联和并联的方式构成，以满足特斯拉线圈所需特定的电容值。放电终端通常采用尖端放电的形式，因为尖端结构能够增强电场强度，生成更长的电弧。 在制作全桥固态特斯拉线圈的过程中，安全问题不容忽视。因为整个装置涉及到高电压的使用，所以使用绝缘材料如PVC管和绝缘板材是防止电击的有效措施。同时，确保所有连接点的绝缘处理得当，对于制作安全至关重要。驱动电路一般采用全桥拓扑结构，由四个开关元件（例如IGBT或MOSFET）组成，精确控制这些开关元件的开通和关断时间来调节特斯拉线圈的工作频率，进一步提高装置的稳定性与效率。 总而言之，制作全桥固态特斯拉线圈是一个集电工学、高频振荡原理、电子工程知识于一身的复杂项目。它不仅考验制作者的理论知识，还需要实践经验、动手能力以及耐心和细心。通过制作特斯拉线圈，你将能深入理解到电力传输和高频振荡的原理，并提高你的电子制作技巧。然而，最重要的始终是安全意识。只有严格遵守正确的操作规程，才能避免电击和其他可能的伤害。 为了保证项目成功以及个人安全，建议所有制作爱好者在专业人士的指导下进行学习和实验。将理论与实践相结合，这不仅能够确保项目的成功完成，也是负责任的科学探索态度。如果能够完成这样一个项目，无论对于个人技术水平的提升，还是对于科学的理解深度都将是一个巨大的飞跃。

这是我个人DIY作品中迄今为止完成度最高的。计划做这么个小东西:可以用2节磷酸铁锂电池供电，输入双声道的音频信号，以48kHz/96kHz (或支持192kHz) 24-bit 规格进行采样，S/PDIF光纤数字输出。这样可以做到采集电路和后面的信号处理电路(或PC机、专业音频设备)电气隔离。去年我DIY过一个Cirrus Logic CS5341的应用电路，I2S输出用排线连FPGA开发板，工作得很好，缺点就是工频干扰的屏蔽处理不好做。这次就在上一版的基础上改进，做成一个功能完整的小盒子。 下面是完整的电路图: 在画PCB之前，我就买好了外壳——这是50x60mm的铝壳体，估计了装下所有东西还有些余量。 PCB最后大小就按照这个盒子来设计，详见附件内容制作说明。 最终实物效果图:

改说明详细简介了UG NX10.0编程后处理模板的制作，图文并茂，值得参考和借鉴

熟悉Linux文件系统目录结构，创建自己的文件系统，通过NFS方式测试；用文件系统工具生成ramdisk文件系统映象文件。

buildinginstructions.js 使用和在浏览器中渲染乐高积木指令。 看到这个项目在可视化 入门 复制此存储库中的文件后，您可以查看： 用于设置渲染的sample_view.htm。 该示例少于100行，并且提供了一个易于掌握的良好起点。 sample_instructions.htm，用于设置构建说明，包括用于个性化和步骤编辑的选项。 这就是说明在BrickHub.org上的显示方式。 sample_physical.htm显示了“物理”渲染器，其中three.js中的StandardMaterial用于更真实的外观。 sample_partslist.htm演示了如何显示零件清单。 该示例具有两种模式（列表和网格），当在列表视图中时，它们具有附加的零件信息，单击小图像会产生带有附加信息的较大预览。 本示例遵循零件清单在BrickHub.org上的显示方式。

flash as3.0 android系统 ane文件制作说明

USB隔离协议转换器主要应用于严酷的工业场合现场调试测试，是现场工程师的调试神器；也可用于研发实验室，成为研发员的手中的必备法宝。 它可实现以下几个主要功能: 1. USB HUB功能:转换出3个USB2.0 Type-A接口,每通道1.5A限流，可带3个移动硬盘同时工作（需要外部电源） 2. USB自供电不足报警:当红灯亮起时，说明USB自供电不足，电源管理处于限流工作状态，需要接入外部电源。 3. USB转RS485/232/TTL 隔离转换器，隔离电压1500VAC。 USB隔离协议转换器系统设计框图: USB隔离协议转换器设计原理说明: 外部电源输入模块采用MPS公司的MP1584芯片作为稳压电源方案 USB输入模块采用德州仪器公司的TPS2553作为电源管理方案，使用SS14肖特基二极管将输入稳压电源串联起来，在使 用外部电源时，USB输入电源将降少电流输出。 USB主控采用台湾汤铭电子的FE1.1芯片作为USB HUB方案，USB信号线保护采用德州仪器公司的TPD4E001TVS阵列 USB输出模块1/2/3使用1.5A自恢复保险丝作为电源限流方案 USB转串口模块采用江苏沁恒股份有限公司的CH340B作为USB转串口方案 TTL转隔离TTL采用德州仪器公司的ISO7321电容式隔离转换芯片 TTL转隔离RS232采用金升阳公司的F505S-1WR2作为隔离电源方案，使用德州仪器公司的ISO7321电容式隔离转换芯片+MAX3232转换芯片作为隔离RS232设计方案 TTL转隔离RS485采用金升阳公司的TD301D485H-A作为隔离RS485转换方案 USB隔离协议转换器电路PCB板截图:

前言: 经过长达将近三个星期的材料准备，终于在前几天完成了430的USB型仿真器的制作，原理完全参照TI官方文档，只是将其中个别分立的125换成了4个一体的，资料都是来自于各个论坛，具体在哪里下载的也记不太清楚了，对这些提供资料的兄弟都表示感谢！现将自己觉得有用的资料上传，如有侵犯到您的权利或利益，请与我联系。 PCB文件也是在论坛上下的，看到各方面都比较完善，排版也基本参照了TI的就没有做大的改动，只是将个别线条和封装做了些许改动。焊接时发现有两个问题:一个是固定孔稍微偏小，螺丝勉强才能进去；一个是光耦继电器的封装小了。这个当初都没注意，但最终还是让我焊上了，不容易啊。 现将DIY 430UIF的制作过程及注意事项公布一下，方便后来的DIY们少走弯路: 制作过程还算是比较顺利吧，没有碰到非常困难的问题。主要还是耗在元器件的购买上，一共网购了三次，跑了一次电子市场，我这还算运气比较好的。建议各位在制作的时候，USB口和线选用质量好些的，我这个就是接插件质量太差了，接触不是很稳定，导致调试的时候走了弯路。 根据TI官方的原理图做的板子，不用焊接的器件为: R49 R50 R52 R54 R62 C1 C2 我的制作步骤: 1.先使用编程器将24C128的程序烧进去。（因为我这边有EEPROM的编程器，所以直接就写了，不知道各位大侠都是用的什么办法？在初次写的时候我看那里面没多少数据量，好像4K的范围外就没有数据了，不知道是不是后来单片机程序烧录后又往里面写了数据，所以需要这么大的EEPROM，改天拆下来读读看） 2.使用MspFet软件将TXT格式的固件烧进1612单片机。我是使用并口仿真器通过JTAG口烧录的，这里有个疑问，官方的JTAG口这里使用的是USB口过来的5V电源，刚开始没注意使用的5V电源，校验的时候经常出错，后来使用了VCC电压才烧录正确了。 友情提示:当使用TI USB型仿真器时，提示:Init failed. Could not open port.这时要到\IAR Systems\Embedded Workbench 4.0\430\bin下复制msp430.dll和hil.dll两个动态库文件（前提是要安装Embedded Workbench 4.0） 3.程序都烧录完成，检测完硬件后就可以插上电脑了，装好驱动；使用指定位置搜索驱动，其位置为IAR安装目录下的430\drivers\TIUSBFET，如果驱动安装不了，请看附件中的安装注意。 4．找个程序往目标板中烧录程序看看，如果固件版本不对会提示升级 USB MSP430仿真器实物展示: 附件内容截图: 实物购买链接:https://detail.tmall.com/item.htm?spm=a230r.1.14.15.i6OGzJ&id=44425555253&ns=1&abbucket=19

sunplus車機GUI制作說明,非常详细，下了定不后悔。