1. 简介 如下所示给出了基于P-MOSFET的四种浪涌电流抑制方案： 图5.78 Single P-MOSFET负载开关电路方案A 图 5.80 Single P-MOSFET负载开关电路方案B 图 5.81 Single P-MOSFET负载开关电路方案C 图 5.82 Single P-MOSFET负载开关电路方案D 后来经过自己的study以及工程师朋友的讨论，方案B和D应用于浪涌电流抑制，有所不妥；主要原因是：在VIN上电的瞬间且Q2/Q4完全导通之前，给输出电容C9/C10/C19/C20充电的浪涌电流会“部分”或“完全”从体二极管流过。 也许有人会问，这样的电路是否会存在P-MOSFET因上电瞬间的浪涌电流而损坏的可能？答案是，在合适选择了P-MOSFET连续漏源电流的情况下，通常不会导致管子损坏。这点，我们后续文章再单独分析。 2. 更新方案 PNP三极管适合做“高边开关”，NPN三极管适合做“低边开关”，这是由它们的结构或导通关断特性决定的。类似的结论是，P-MOSFET适合做“高边开关”，N-MOSFET适合做“低边开关”（如同步BUCK电路的low-side s ### 使用N-MOSFET实现浪涌电流抑制 #### 一、引言及问题背景 在电子设备的设计过程中，为了确保系统的稳定性和可靠性，浪涌电流的抑制变得尤为重要。浪涌电流是指在电源开启瞬间或者负载突然变化时，短时间内通过电源的电流峰值远高于正常工作电流的现象。如果不加以控制，这种瞬态大电流可能会对电源系统造成损害，降低设备的使用寿命，甚至导致故障。因此，选择合适的浪涌电流抑制方法对于提高电子产品的可靠性和稳定性至关重要。 #### 二、基于P-MOSFET的浪涌电流抑制方案及其问题 根据描述，提出了四种基于P-MOSFET的浪涌电流抑制方案（图5.78、图5.80、图5.81、图5.82），其中方案B和D在实际应用中存在一定的问题。主要问题在于，在电源VIN上电的瞬间，且MOSFET尚未完全导通之前，输出电容的充电过程会导致一部分或全部的浪涌电流通过体二极管进行分流。这种现象虽然通常不会导致P-MOSFET损坏（前提是在选择MOSFET时考虑了其连续漏源电流能力），但仍然可能对电路的整体性能产生不利影响。 #### 三、N-MOSFET作为浪涌电流抑制方案的优势 N-MOSFET在电路设计中具有显著优势，尤其是在浪涌电流抑制方面。与P-MOSFET相比，N-MOSFET更适合用作“低边开关”，即放置在电源线的负极位置。这一特性使得N-MOSFET在某些应用中成为更优的选择。以下是两种基于N-MOSFET的更新方案： 1. **方案E**：适用于VCC电源范围不超过Vgs的应用场景。该方案能够有效地控制浪涌电流，同时保持电路的稳定运行。 2. **方案F**：适用于VCC电源范围超过Vgs的应用场景。通过在电容C18上并联电阻R6，并与电阻R5组成分压电路，确保了MOSFET栅极-源极电压不会超出其Vgs范围，从而避免了由于过压导致的器件损坏。 #### 四、分压电阻的计算与应用 针对方案C（图5.81）中提到的分压电阻的计算，当输入电源VIN大于AON6403元件的栅极和源极耐压值±20V时，可通过增加电阻R3来调整栅极电压，使得栅极和源极之间的电压差保持在安全范围内。例如，当VIN=60V时，栅极和源极之间的电压差为5.45V；当VIN=100V时，电压差为9.09V。这两个数值均在±20V的安全范围内，因此无需担心元件损坏的问题。 #### 五、总结 通过对不同方案的比较和分析，可以得出以下结论： - 在基于P-MOSFET的浪涌电流抑制方案中，方案B和D在实际应用中存在一定的局限性，尤其是在处理浪涌电流时，体二极管的存在可能导致电流分流，影响整体性能。 - N-MOSFET作为“低边开关”的特性使其在某些应用场景下成为更佳选择。方案E和F展示了如何利用N-MOSFET有效抑制浪涌电流，同时确保电路的稳定性和安全性。 - 在设计电路时，合理选择分压电阻值对于防止过压情况的发生至关重要。通过适当的计算，可以在保证电路性能的同时，避免元件损坏的风险。 无论是基于P-MOSFET还是N-MOSFET的浪涌电流抑制方案，都需要根据具体的应用需求来选择最合适的解决方案。

采用电工技术与电子技术相结合的方法，设计制作了一台10/700微秒浪涌电压发生器。设计中未采用通过改变球隙间距调整放电电压峰值的常规方法，而是利用采样、控制和电子点火方法，诱使放电间隙按照预先设定的峰值电压放电导通，解决了较低电压等级下放，电间隙不易精确调整的技术难题。10/700微秒浪涌电压发生器专门用于通信设备及线路的浪涌抗冲击试验。

高可靠性DC-DC开关电源的浪涌电流抑制电路设计pdf,本文通过分析Dc—Dc开关电源中浪涌电流形成的原因，介绍了目前广泛应用的各种浪涌电流抑制方案；并重点介绍了基于高端领域平台用Dc—Dc电源所采用的两种浪涌抑制电路设计，并通过试验结果验证了此两种电路设计方案的特点及有效性。

今天，防止电子产品出现电路故障以及管理上电浪涌电流的方法都得到了长足发展，简单的保险丝以及不确定 P 通道 FET 演变成了高级程度大大提升的解决方案。这些高度集成的解决方案不仅可管理进入系统的浪涌电流，而且还可使导通元件（通常是 FET）处于安全工作范围 (SOA) 内，由此为系统诊断提供了更优异的控制及故障遥测技术。本文将针对增强型系统保护解决方案和几个重要关注点展开讨论。

煤矿井下电力系统中,大功率设备的启停、电力系统短路故障、启停开关设备和变频设备,会产生浪涌。本文建立了圆柱形隔爆外壳屏蔽衰减模型,研究了圆柱形隔爆外壳的对浪涌电磁辐射的屏蔽特性,研究结果表明屏蔽外壳对于浪涌电磁辐射具有很强的屏蔽作用,研究结果可为煤矿井下电磁兼容标准制定和矿用电工电子产品设计提供依据。

2、RS-射频电磁场辐射抗扰度测试 3、CS-射频场感应的传导骚扰抗扰度测试 4、DIP-电压暂降，短时中断和电压变化抗扰度测试 5、SURGE-浪涌（冲击）抗

1、电子设备雷击浪涌抗扰度试验标准 电子设备雷击浪涌抗扰度试验的国家标准为GB/T17626.5（等同于国际标准IEC61000-4-5 ）。 标准主要是模拟间接雷击产生的各种情况： （1）雷电击中外部线路，有大量电流流入外部线路或接地电阻，因而产生的干扰电压。 （2）间接雷击（如云层间或云层内的雷击）在外部线路上感应出电压和电流。 （3）雷电击中线路邻近物体，在其周围建立的强大电磁场，在外部线路上感应出电压。 （4）雷电击中邻近地面，地电流通过公共接地系统时所引进的干扰。 标准除了模拟雷击外，还模拟变电所等场合，因开关动作而引进的干扰（开关切换时引起电压瞬变），如： （1）主电源系统切换时产生的干扰（如电容器组的切换）。 （2）同一电网，在靠近设备附近的一些较小开关跳动时的干扰。 （3）切换伴有谐振线路的晶闸管设备。 （4）各种系统性的故障，如设备接地网络或接地系统间的短路和飞弧故障。 标准描述了两种不同的波形发生器：一种是雷击在电源线上感应生产的波形；另一种是在通信线路上感应产生的波形。 这两种线路都属于空架线，但线路的阻抗各不相同：在

电磁脉冲(Electromagnetic Pulse，EMP)，有时也称为瞬变电磁干扰，是电磁能量的短脉冲。这种脉冲的来源可以是自然发生的，也可以是人为的，并且根据来源的不同，可以是辐射场、电场、磁场或传导电流。 电磁脉冲的几种来源：静电放电（ESD）、开关脉冲、雷电（感应雷）、核电磁脉冲、非核电磁脉冲。 针对强电磁脉冲在电子设备内耦合、传递的途径，建立多源、大动态范围的电磁环境防护仿真模型，开展不同频率、波形、强度的电磁脉冲对新型智能材料等数值仿真试验、半实物/实物电磁环境效应试验，探索综合型电磁脉冲防护技术和方法，从多方面增强射频电子电路的抗毁伤性能。

IEEE Std C62.41.1™-2002.pdf

通信电源