"Comsol碳化硅电热耦合计算模型：精准预测碳化硅芯片电场与温度场分布",comsol 碳化硅电热耦合计算模型，可以得到碳化硅芯片的电场和温度场分布， ,comsol; 碳化硅电热耦合计算模型; 电场分布; 温度场分布; 芯片。,"Comsol碳化硅电热耦合模型：解析碳化硅芯片电场与温度场分布" 碳化硅作为一种具有高熔点、高热导率、低介电常数和高热稳定性的半导体材料，在高温、高功率以及高频电子器件领域内具有广泛的应用前景。随着科技的迅猛发展，对于碳化硅器件的电热特性研究变得愈发重要。碳化硅电热耦合计算模型通过多物理场仿真软件，如Comsol Multiphysics，可以实现对碳化硅芯片中电场和温度场分布的精准预测。 在碳化硅电热耦合计算模型的构建过程中，需要考虑碳化硅材料的物理属性，例如电导率、热导率、介电常数等参数随温度变化的特性。模型将电场和温度场的计算相结合，不仅能够预测出芯片在不同工作条件下的温度分布，还能分析电场在芯片内部的分布情况，从而评估器件的热应力、热疲劳和潜在的热失控风险。 电热耦合模型的建立对于碳化硅芯片的设计和优化至关重要。通过仿真分析，工程师可以评估不同设计参数对器件性能的影响，例如，散热结构的改进、芯片尺寸的优化以及材料选择等，进而指导实验研究和器件开发。此外，电热耦合模型还可以用于故障分析，帮助研究者理解和解决碳化硅器件在实际运行中可能遇到的过热问题。 对于电子设备而言，碳化硅电热耦合计算模型的应用可以提高器件的工作效率和可靠性。例如，在功率模块设计中，通过优化电热耦合模型，可以有效控制热管理，保证器件在高效能和高可靠性之间达到最佳平衡。同时，该模型还有助于实现更小型化和集成化的电子设备设计，为未来电子设备的发展趋势提供技术支持。 此外，碳化硅电热耦合计算模型在学术研究中也具有重要的价值。通过对比仿真结果与实验数据，研究者可以验证和完善模型的准确性，从而深入理解碳化硅材料的物理机制和电热特性。这不仅有助于推动半导体物理学科的发展，还能够为新型碳化硅器件的研发提供理论基础。 碳化硅电热耦合计算模型是理解和掌握碳化硅芯片电场与温度场分布的关键工具。通过多物理场仿真技术，该模型能够为碳化硅材料及其器件的设计、优化、故障分析以及学术研究提供强有力的支撑，推动碳化硅技术在电力电子、半导体工业等领域的应用与发展。

碳化硅MOS管-全碳SiC模块产品应用、驱动、系统方案(碳化硅MOS电压650V~1200V~1700V~3300V更高至6500V，单管电流1A-160A) 碳化硅MOS具有宽带隙、高击穿电场强度、高电流密度、快速开关速度、低导通电阻和抗辐射性能等独特特点，在电子器件领域有着广泛的应用。特别是在电力电子、高温电子、光伏逆变器和高频电子等领域，其性能优势能够提高器件的功率密度、效率和稳定性。 SiC MOSFET在高压转换器领域，爬电距离和电气间隙等最小间距要求使得高性能 SiC MOSFET采用TO−247、TO263-7L、TOLL、DFN、SOT227型等封装,这些封装已经十分完善。SiC MOSFET作为第三代功率半导体器件，以其阻断电压高、工作频率高，耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点成为当前最具市场前景的半导体产品之一，正广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、快速充电桩、智能电网，轨道交通领域，牵引变频器等领域。

碳化硅SiC MOSFE Vd‐Id 特性 SiC‐MOSFET 与IGBT 不同，不存在开启电压，所以从小电流到大电流的宽电流范围内都能够实现低导通损耗。 而Si‐MOSFET 在150℃时导通电阻上升为室温条件下的2 倍以上，与Si‐MOSFET 不同，SiC‐MOSFET的上升率比较低，因此易于热设计，且高温下的导通电阻也很低。 驱动门极电压和导通电阻 SiC‐MOSFET 的漂移层阻抗比Si‐MOSFET 低，但是另一方面，按照现在的技术水平，SiC‐MOSFET的MOS 沟道部分的迁移率比较低，所以沟道部的阻抗比Si 器件要高。因此，越高的门极电压，可以得到越低的导通电阻（Vgs=20V 以上则逐渐饱和）。如果使用一般IGBT 和Si‐MOSFET 使用的驱动电压Vgs=10～15V 的话，不能发挥出SiC 本来的低导通电阻的性能，所以为了得到充分的低导通电阻，推荐使用Vgs=18V 左右进行驱动。Vgs=13V 以下的话，有可能发生热失控，请注意不要使用。 Vg‐Id 特性

0.1-3000Mpa 下碳化硅顶砧拉曼光谱作为压力计的研究，瞿清明，郑海飞，利用Mao-Bell 型水热金刚石压腔，以6H 型碳化硅晶体作为顶砧，在 常温下对碳化硅顶砧的不同点位进行拉曼光谱的原位测量，探讨了在一�

半导体材料系列：第三代半导体碳化硅行业前瞻（2022）（88页）.pdf

宽禁带SiC材料被认为是高性能电力电子器件的理想材料,比较了Si和SiC材料的电力电子器件在击穿电场强度、稳定性和开关速度等方面的区别,着重分析了以SiC器件为功率开关的电力电子装置对电力系统中柔性交流输电系统(FACTS)、高压直流输电(HVDC)装置、新能源技术和微电网技术领域的影响。分析表明,SiC电力电子器件具有耐高压、耐高温、开关频率高、损耗小、动态性能优良等特点,在较高电压等级(高于3 kV)或对电力电子装置性能有更高要求的场合,具有良好的应用前景。

1200V碳化硅肖特基二极管是固锝电子新推出的第三代SiC肖特基二极管。 可以实现超低的反向恢复时间，优越的高温反向漏电流，优化提升开关损耗，很好的提高了电动汽车、混合动力汽车、通信、工业和商用等电源类产品的使用效率。

本文介绍了常规的硅/玻璃阳极键合等离子体的研究按顺序增强化学气相沉积碳化硅（PE-SiC）作为中间层评估在应用PE-SiC作为器件钝化层之前的可行性基于粘合转移技术的包装粘合和构造层。 找到了这种键合的机理与传统的阳极键合相似。 作为PE-SiC 增稠，粘结强度下降； 同时，泄漏率保持在同一水平与硅/玻璃结合。 进一步的实验表明，键合增加了中间层的拉伸应力为70.7 MPa，应力梯度减小了24.6 MPaμm^ -1。

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用 技术规范

碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一，是高温，高频，抗辐照，大功率应用场合下极为理想的半导体材料。文章结合美国国防先进研究计划局DARPA的高功率电子器件应用宽禁带技术HPE项目的发展，介绍了SiC功率器件的最新进展及其面临的挑战和发展前景。同时对我国宽禁带半导体SiC器件的研究现状及未来的发展方向做了概述与展望.