设计了一种可用于阵列波导光栅(AWG)解调集成微系统的绝缘体上硅(SOI)基2×2多模干涉(MMI)耦合器，用光束传播法(BPM)对MMI耦合器进行了模拟。耦合器输入/输出波导采用倒锥形，多模干涉区尺寸为6 μm×57 μm。在TE偏振中心波长为1.55 μm时，器件附加损耗为0.46 dB，不均匀性为0.06 dB。在1.49~1.59 μm波长范围内耦合器的附加损耗小于1.55 dB。仿真结果表明所设计的2×2 MMI耦合器体积小、附加损耗低、波长响应范围宽、分光均匀，符合片上集成系统的要求。

以往对SOI器件的建模基本上基于漂移区全耗尽的假设,且大多未考虑场板对表面势场分布的影响。通过分区求解二维泊松方程,建立了场板SOI RESURF LDMOS表面电势和表面电场分布解析模型。该模型同时考虑了栅场板和漏场板的作用,既适用于漂移区全耗尽的情况,也适用于漂移区不全耗尽的情况。利用此模型和半导体器件仿真工具Silvaco,详细探讨了器件在不同偏压下栅场板和漏场板对漂移区表面电势和电场分布的影响。解析模型结果与数值仿真结果吻合良好,验证了模型的准确性。

行业资料-建筑装置-干式套管绝缘体真空加气浇注系统.zip

优化绝缘体上硅肋形波导的几何形状，以实现最大连续波拉曼增益

TiO2基金属-绝缘体-金属器件中的存储阻抗

提出了一种在半导体-绝缘体-半导体波导中形成磁光布拉格光栅的高度可调太赫兹（THz）滤波器，并通过有限元方法进行了数值模拟。 结果表明，在具有缺陷的布拉格光栅波导的带隙中存在具有高Q值的尖峰，并且可以通过改变施加到器件的横向磁场的强度来极大地改变尖峰的位置。 与没有施加磁场的情况相比，当施加1 T磁场时，滤波后的频率（波长）的偏移高达36.1 GHz（11.4μm）。 此外，本文提出了一个简单的模型来预测滤波频率，并提出了一种有效的方法来提高滤波器的Q值。 （C）2013年作者。 除另有说明外，所有文章内容均根据知识共享署名3.0未移植许可证进行许可。 [http://dx.doi.org/10.1063/1.4812703]

高阶拓扑现象首次在电子领域提出，随后在光子、声子、机械波等领域也发现此现象。论文详细介绍了高阶拓扑现象的起源，存在的条件，实验方法简介

本书基于修正狄拉克方程，全面描述了一维到三维拓扑绝缘体。书中公式推导简明易懂，给出了一系列边界附近束缚态解的推导，并描述了解的存在条件。引进了拓扑绝缘不变性及其在一些列系统中的应用，如一维聚乙炔到二维量子自旋霍尔效应、p波超导体、三维拓扑绝缘体、超导体和超流。这些都可以很好地帮助学习者更好的理解这个神奇的领域。读者对象：本书是一部拓扑绝缘体专业及相关领域研究生和科研人员的教材和参考用书