STM32单片机读写 SDRAM(MT48LC4M32B2TG)软件例程源码,可供学习参考。 SDRAM为 MT48LC4M32B2TG-7 容量16M字节，32Bit 在使用SDRAM前，必须调用 bsp_InitExtSDRAM() 函数配置FMC。 外部SDRAM的物理地址为 0xC000 0000， 访问外部SDRAM，可以使用指针方式。 void DemoExtSDRAM(void) { uint8_t cmd; uint32_t err; uint32_t testdata; //printf("型号: IS61WV102416BLL-10TL 容量2M字节，16Bit，10ns速度\r\n"); printf("SDRAM Model MT48LC4M32B2TG-7, 32Bit"); DispMenu(); /* 打印命令提示 */ while(1) { bsp_Idle(); /* 这个函数在bsp.c文件。用户可以修改这个函数实现CPU休眠和喂狗 */ if (comGetChar(COM1, &cmd)) /* 从串

FPGA读写SDRAM page fifo实验完整Verilog逻辑源码Quartus工程文件, Quartus软件版本11.0, FPGA型号为CYCLONE4E系列中的EP4CE6E22C8,可以做为你的学习设计参考。 module sdram_read_write( clk, reset_n, state_signal, rw_done_signal, ar_done_signal, sdram_bank_addr, write_data, read_data, io_ctl, sdram_command, sdram_address, sdram_dqm, sdram_data ); //参数定义 //端口定义 input clk; //时钟信号100MHz input reset_n; //复位信号，低电平有效 input [2:0] state_signal; //状态信号，用于控制对SDRAM进行读写和自刷新 input [21:0] sdram_bank_addr; //SDRAM最小单元地址，[21:20]块地址+[19:8]行地址Row+[7：0]列地址Column input [15:0] write_data; //写入SDRAM的数据 input io_ctl; output rw_done_signal; //读写完成信号 output ar_done_signal; //自动刷新完成信号 output [15:0] read_data; //从SDRAM读出的数据 output [4:0] sdram_command; //SDRAM指令，cke、cs_n、ras、cas_n、we_n，SDRAM指令信号 output [13:0] sdram_address; //SDRAM读写地址 output [1:0] sdram_dqm; //SDRAM数据掩码 inout [15:0] sdram_data; //sdram读写数据 //常量定义 parameter NOP = 5'b10111, //空操作 ACTIVE = 5'b10011, //行激活 READ = 5'b10101, //读操作 WRITE = 5'b10100, //写操作 PR = 5'b10010, //预充电 AR = 5'b10001, //自刷新 LMR = 5'b10000, //设置寄存器 BURST_STOP = 5'b10110; //突发停止指令 parameter ar_state = 3'b001, //自刷新状态 re

FPGA读写SDRAM read_write_a_worde实验完整Verilog逻辑源码Quartus工程文件， Quartus软件版本11.0, FPGA型号为CYCLONE4E系列中的EP4CE6E22C8,可以做为你的学习设计参考。 `timescale 1 ns/ 1 ps // synopsys translate_on module sdram_top( clk, reset_n, sdram_bank_addr, write_data, read_data, read_req, write_req, rw_ack, bus_signal, init_done, sdram_clk, sdram_data, sdram_command, sdram_address, sdram_dqm ); // 系统信号 input clk; //20M系统时钟 input reset_n; //复位信号，低电平有效 // 内部信号 input [21:0] sdram_bank_addr; //读写SDRAM的地址 input [15:0] write_data; //写如sdram的数据 output [15:0] read_data; //从sdram读出的数据 input read_req; //读数据请求信号 input write_req; //写数据请求信号 output rw_ack; //读写应答信号 output bus_signal; //忙信号 output init_done; //初始化完成信号，输出，高电平有效 // SDRAM接口信号 output sdram_clk; //sdram时钟信号 inout [15:0] sdram_data; //sdram读写数据 output [4:0] sdram_command; //cke、cs_n、ras、cas_n、we_n，SDRAM指令信号 output [13:0] sdram_address; //[13:12]BA , [11:0]Addr，SDRAM地址信号 output [1:0] sdram_dqm; //SDRAM数据掩码 //连接线 wire init_start; //初始化开始信号,高电平有效 wire [4:0] sdram_init_command; //cke、cs_n、ras、cas_n、we_n，SDRAM指令信号 wire [4:0] sdram_rw_command; //cke、cs_n、ras、cas_n、we_n，SDRAM指令信号 wire [13:0] sdram_init_address; //[13:12]BA , [11:0]Addr，SDRAM地址信号 wire [13:0] sdram_rw

FPGA读写SDRAM page实验完整Verilog逻辑源码Quartus工程文件, Quartus软件版本11.0, FPGA型号为CYCLONE4E系列中的EP4CE6E22C8,可以做为你的学习设计参考。 // synopsys translate_off `timescale 1 ns/ 1 ps // synopsys translate_on module sdram_top( clk, sdram_100mhz, reset_n, sdram_bank_addr, write_data, read_data, read_req, write_req, rw_ack, bus_signal, init_done, sdram_clk, sdram_data, sdram_command, sdram_address, sdram_dqm ); // 系统信号 input clk; //100M系统时钟 input sdram_100mhz; //100Msdram时钟 input reset_n; //复位信号，低电平有效 // 内部信号 input [21:0] sdram_bank_addr; //读写SDRAM的地址 input [15:0] write_data; //写如sdram的数据 output [15:0] read_data; //从sdram读出的数据 input read_req; //读数据请求信号 input write_req; //写数据请求信号 output rw_ack; //读写应答信号 output bus_signal; //忙信号 output init_done; //初始化完成信号，输出，高电平有效 // SDRAM接口信号 output sdram_clk; //sdram时钟信号 inout [15:0] sdram_data; //sdram读写数据 output [4:0] sdram_command; //cke、cs_n、ras、cas_n、we_n，SDRAM指令信号 output [13:0] sdram_address; //[13:12]BA , [11:0]Addr，SDRAM地址信号 output [1:0] sdram_dqm; //SDRAM数据掩码 //连接线 wire init_start; //初始化开始信号,高电平有效 wire [4:0] sdram_init_command; //cke、cs_n、ras、cas_n、we_n，SDRAM指令信号 wire [4:0] sdram_rw_command; //cke、cs_n、ras、cas_n、we_n，SDRAM指令信号 wire

cyclone4 FPGA 读写sdram_Verilog逻辑源码Quartus工程文件+文档说明，FPGA型号Cyclone4E系列中的EP4CE6F17C8，Quartus版本17.1。

众所周知，片上RAM是FPGA的宝贵资源。对于一些低端的FPGA芯片，其片上RAM实在是少的可怜，甚至不能存下一张图片。若要用FPGA实现图像处理，显然需要外部存储器。 而在外部存储器中，SDRAM的特点是速度快，价格低，但时序复杂。今天，主要介绍的就是使用FPGA读写SDRAM的实验。 文章最后，将会给出所有代码，代码均经过详细注释。 实验环境： 硬件环境： FPGA：Cyclone II 系列 FPGA片上RAM： 160000+bit SDRAM： 4 Banks x 1M x 16Bit , 100Mhz

基于FPGA设计的sdram读写测试实验Verilog逻辑源码Quartus工程文件+文档说明，DRAM选用海力士公司的 HY57V2562 型号,容量为的 256Mbit,采用了 54 引脚的 TSOP 封装, 数据宽度都为 16 位, 工作电压为 3.3V,并丏采用同步接口方式所有的信号都是时钟信号。FPGA型号Cyclone4E系列中的EP4CE6F17C8，Quartus版本17.1。 timescale 1ps/1ps module top ( input clk, input rst_n, output[1:0] led, output sdram_clk, //sdram clock output sdram_cke, //sdram clock enable output sdram_cs_n, //sdram chip select output sdram_we_n, //sdram write enable output sdram_cas_n, //sdram column address strobe output sdram_ras_n, //sdram row address strobe output[1:0] sdram_dqm, //sdram data enable output[1:0] sdram_ba, //sdram bank address output[12:0] sdram_addr, //sdram address inout[15:0] sdram_dq //sdram data ); parameter MEM_DATA_BITS = 16 ; //external memory user interface data width parameter ADDR_BITS = 24 ; //external memory user interface address width parameter BUSRT_BITS = 10 ; //external memory user interface burst width parameter BURST_SIZE = 128 ; //burst size wire wr_burst_data_req; // from external memory controller,write data request ,before data 1 clock wire wr_burst_finish; // from external memory controller,burst write finish wire rd_burst_finish; // from external memory controller,burst read finish wire rd_burst_req; // to external memory controller,send out a burst read request wire wr_burst_req; // to external memory controller,send out a burst write request wire[BUSRT_BITS - 1:0] rd_burst_len; // to e

FPGA读写 SDRAM Verilog设计源码Quartus工程文件,SDRAM型号FW9825G6KH-6，SDRAM读写测试: 向SDRAM中写入数据,然后将数据读出,并判断读出的数据是否正确，FPGA型号Cyclone4E系列中的EP4CE10F17C8，Quartus版本18.0。 module sdram_rw_test( input clk, //FPGA外部时钟，50M input rst_n, //按键复位，低电平有效 //SDRAM 芯片接口 output sdram_clk, //SDRAM 芯片时钟 output sdram_cke, //SDRAM 时钟有效 output sdram_cs_n, //SDRAM 片选 output sdram_ras_n, //SDRAM 行有效 output sdram_cas_n, //SDRAM 列有效 output sdram_we_n, //SDRAM 写有效 output [ 1:0] sdram_ba, //SDRAM Bank地址 output [12:0] sdram_addr, //SDRAM 行/列地址 inout [15:0] sdram_data, //SDRAM 数据 output [ 1:0] sdram_dqm, //SDRAM 数据掩码 //LED output led //状态指示灯 ); //wire define wire clk_50m; //SDRAM 读写测试时钟 wire clk_100m; //SDRAM 控制器时钟 wire clk_100m_shift; //相位偏移时钟 wire wr_en; //SDRAM 写端口:写使能 wire [15:0] wr_data; //SDRAM 写端口:写入的数据 wire rd_en; //SDRAM 读端口:读使能 wire [15:0] rd_data; //SDRAM 读端口:读出的数据 wire sdram_init_done; //SDRAM 初始化完成信号 wire locked; //PLL输出有效标志 wire sys_rst_n; //系统复位信号 wire error_flag; //读写测试错误标志 //***************************************************** //** main code //***************************************************** //待PLL输出稳定之后，停止系统复位 assign sys_rst_n = rst_n & locked; //例化PLL, 产生各模块所需要的时钟 pll_clk u_pll_clk( .inclk0 (clk), .areset (~rst_n), .c0 (clk_50m), .c1 (clk_100m), .c2

通过 UART 的接口发送命令来读写 SDRAM 命令格式如下： 00 02 0011 1111 2222 00： 写数据 02： 写个数 0011： 写地址 1111 2222： 写数据， 是 16 bit， 每写完一个数据，向串口发送 FF 回应； 输出： FF FF 01 03 0044 01: 读sdram 03： 读的个数 0044: 读的地址 输出： xxxx xxxx xxxx sdram 在 0044 0045 0046 处的数据； sdram 使用的是 K4S161622D.pdf 系统时钟 25m， 通过 PLL 得到 SDRAM clk 100m sdram controller clk 100m， 前者相对后者2ns 相移

fpga读写SDRAM的实验源码。详细的注释。 具体内容请参考博客的文章。里面详细介绍了如何使用。 fpga读写SDRAM的实验源码。详细的注释。 具体内容请参考博客的文章。里面详细介绍了如何使用。