ADS学习笔记 2. 低噪声放大器设计-DataSheet：ATF54143（LNA） 一、引言 Agilent ATF-54143是一款高动态范围、低噪声、E-PHEMT器件，封装在小型塑料表面贴装SC-70（SOT-343）4引脚中。由于其高增益、高线性度和低噪声特性，它特别适合于450 MHz到6 GHz频率范围内的蜂窝/PCS基站、MMDS以及其他系统的低噪声放大器设计。 二、产品特性 1. 高线性度性能：该器件在保持高增益的同时，还能提供出色的线性度。 2. 增强型模式技术[1]：此技术要求正的栅源电压（Vgs），因此可以避免与传统耗尽模式设备相关的负栅压。 3. 低噪声系数：在典型的2 GHz工作频率下，噪声系数为0.5 dB，非常适合低噪声应用。 4. 优秀的规格一致性：确保不同产品之间的性能稳定。 5. 800微米栅宽：较大的栅宽有助于增加增益和功率容量。 6. 低成本表面贴装小型塑料封装SOT-343（4引脚SC-70）：易于与现代制造流程兼容。 7. 可选的贴带和卷带包装：适合自动化表面贴装生产线。 三、性能参数 1. 工作频率：在2 GHz下典型工作，但适用范围更广。 2. 工作电压：3V，工作电流为60 mA（典型值）。 3. 输出三阶交调点：典型值为36.2 dBm。 4. 1 dB增益压缩点输出功率：20.4 dBm。 5. 噪声系数：0.5 dB。 6. 相关增益：16.6 dB。 四、应用场景 ATF-54143的应用领域包括： 1. 蜂窝/PCS基站的低噪声放大器。 2. WLAN、WLL/RLL和MMDS应用的低噪声放大器（LNA）。 3. 其他超低噪声应用的通用离散E-PHEMT。 五、封装和标记 ATF-54143采用SOT-343封装。引脚连接和封装标记如下图所示： ``` SOURCEDRAIN GATE SOURCE4Fx ``` 【顶部视图】。封装标记提供了器件的方向和标识，其中“4F”表示设备代码，“x”表示制造月份的日期代码字符。 六、绝对最大额定值 为避免永久性损坏，操作器件时不得超过下述任何一项参数： 1. 漏极-源极电压（VDS）：5V。 2. 栅极-源极电压（VGS）：-5 到 1V。 3. 栅漏电压（VGD）：5V。 4. 漏极电流（IDS）：120 mA。 5. 总功率耗散（Pdiss）：360 mW（在源极引线温度为25°C时）。 6. RF输入功率：最大10 dBm。 7. 栅源电流（IGS）：2 mA。 8. 通道温度（TC）：150°C。 9. 存储温度（TSTG）：-65 到 150°C。 10. 热阻（θjc）：162°C/W。 请注意，上述参数是在直流静态条件下假设的，且源极引线温度为25°C。当源极引线温度超过25°C时，需要进行降额处理。 七、注意事项 1. 超过这些参数的任何操作都可能导致永久性损坏。 2. 最大RF输入功率测试基于无调制的连续波输入信号。 3. 如果超出规格范围，可能不会损坏器件，但规格无法保证。 以上内容均基于DataSheet ATF54143的数据信息，详细情况请参照原厂手册或相关数据资料。

【低噪声放大器基础知识】 低噪声放大器（Low Noise Amplifier，LNA）在无线通信系统中扮演着至关重要的角色，特别是在接收模块中。它的主要功能是将接收到的微弱信号放大，同时尽可能地保持信号质量，降低噪声。噪声在通信系统中是一种干扰，会影响信号的清晰度和传输效率，因此LNA的噪声系数（Noise Figure, NF）是一个关键性能指标。噪声系数定义为输入端噪声功率与输出端噪声功率之比，数值越小，表明LNA对信号的噪声污染越小。 【UHF频段低噪声放大器】 UHF（Ultra High Frequency）频段通常指300MHz到3GHz之间的频率范围，这个频段广泛应用于广播、电视、移动通信等多个领域。设计UHF频段的低噪声放大器时，需要考虑以下因素： 1. **宽带设计**：由于UHF频段宽，所以LNA需要有良好的频率响应，能在整个频段内保持稳定的增益和低噪声性能。 2. **匹配网络**：为了确保输入和输出信号的有效传输，匹配网络设计至关重要。它需要使LNA的输入阻抗与后续电路的输出阻抗相匹配，同时降低反射，以减少信号损失。 3. **晶体管选择**：选择合适的晶体管对于实现低噪声和高增益至关重要。在本设计中，选择了安捷伦公司（Agilent）的低噪声高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor, HEMT）ATF-54143，这类晶体管具有低噪声特性，适合高频应用。 4. **负反馈技术**：负反馈可以改善放大器的稳定性，减小输入反射，并有助于平衡噪声系数与输入匹配的关系。在本课题中，采用负反馈设计，使得LNA能在提升增益的同时控制噪声。 【仿真与优化】 在设计过程中，利用Advanced Design System (ADS)这款射频电路仿真软件进行电路设计和优化。ADS可以帮助设计者进行输入、输出匹配电路、偏置电路的设计，并模拟其性能。通过优化电路参数，可以进一步降低噪声系数、提升增益，并确保系统的稳定性。 【实物制作与测试】 设计完成后，使用Protel DXP软件绘制PCB（Printed Circuit Board）版图，进行实物制作。实物制作完成后，需要进行测试和调试，以验证设计的性能。在本案例中，测试结果显示低噪声放大器的功率增益达到23dB，噪声系数约为0.6dB，这表明设计达到了预期的目标。 毕设中的低噪声放大器设计涉及了无线通信的基础理论、噪声测量技术、匹配网络设计、晶体管选择、负反馈应用以及电路优化等多个方面，是一个综合性较强的技术实践项目。这样的设计不仅锻炼了学生的理论知识应用能力，也提升了他们在实际电路设计和调试上的技能。

LNA总电路

内容概要：本文档详细介绍了QST公司生产的QMI8A01型号的6轴惯性测量单元的数据表及性能参数。主要内容包括设备特性、操作模式、接口标准(SPI、I2C与I3C)，以及各种运动检测原理和技术规格。文中还提到了设备的工作温度范围宽广，内置的大容量FIFO可用于缓冲传感器数据，减少系统功耗。此外，对于器件的安装焊接指导亦有详细介绍。 适合人群：电子工程技术人员、嵌入式开发人员、硬件设计师等。 使用场景及目标：适用于需要精准测量物体空间位置变化的应用场合，如消费电子产品、智能穿戴设备、工业自动化等领域。帮助工程师快速掌握该款IMU的技术要点和应用场景。 其他说明：文档提供了详细的电气连接图表、封装尺寸图解等资料，方便用户进行电路板的设计制作。同时针对特定应用提出了一些优化建议。

高性能低噪声锁相环频率源lmx2592：原理图、STM32源码与四端输出控制板,基于STM32F103C8T6控制的低噪声锁相环频率源lmx2592设计：步进可调、功率可定制及良好的相位噪声性能与灵活四端输出功能,lmx2592频率源原理图和程序源码。 20MHz——9.8GHz的低噪声锁相环频率源，最小频率步进1MHz，输出功率可调，stm32f103c8t6控制lmx2592一体化，按键操控输出频率和输出功率，相位噪声非常不错。 USB供电 四端输出 可外接参考源 工作电流在360mA左右 这块板子是自己做的，可以作为比赛的频率源，混频器的本振。 提供电路图和源码 ,lmx2592频率源; 原理图; 程序源码; 低噪声锁相环频率源; 最小频率步进; 输出功率可调; stm32f103c8t6控制; 一体化设计; 按键操控; 相位噪声; USB供电; 四端输出; 可外接参考源; 工作电流; 电路图和源码。,基于LMX2592的20MHz至9.8GHz低噪声频率源：STM32F103C8T6控制一体化方案

利用低噪声前置运算放大器把光电倍增管的输出信号尽可能无噪声的放大。从运放的选择，多级放大电路的设计要点，放大电路的噪声估算，PCB板布局连线和屏蔽等方面，提出了实用化的带宽达10 MHz的电路设计形式，以及注意事项及其信号调理方法。仿真结果显示了所设计电路的信号放大情况，此电路设计形式可以很好的放大并处理光电倍增管的输出信号。

低噪声放大器的设计方法.熟练掌握低噪声放大器(Low Noise Amplifier, LNA)的工作原理，基本指标； 熟练掌握低噪声放大器的设计方法； 学习如何使用ADS进行射频和微波有源电路的仿真，设计和优化

L波段低噪声放大器的研究,下载与知网，基于ads的L波段低噪声放大器的研究

设计一种工作在1.2 V低电源电压下的折叠混频器。混频器电路采用折叠结构和电流复用技术,降低电源电压,减小直流功耗,降低噪声、提高增益和线性度。跨导级采用交流耦合互补跨导进一步降低电源电压。混频器设计基于SMIC0.18μm标准CMOS工艺。仿真结果表明:输入射频频率和输出中频频率为2.5 GHz和100 MHz时,IIP3为3.857 dBm,NF为5.257 dB,转换增益为9.787 dB,功耗为5.22 mW。

构建具有纳伏级灵敏度的电压测量系统会遇到很多设计挑战。目前最好的运算放大器（比如超低噪声AD797）可以实现低于1nV/ Hz的噪声性能(1 kHz)，但低频率噪声限制了可以实现的噪声性能为大约50 nV p-p（0.1 Hz至10 Hz频段内）。过采样和平均可以降低宽带噪声的rms贡献，但代价是牺牲了更高的数据速率，且功耗较高，但过采样不会降低噪声频谱密度，同时它对1/f区内的噪声无影响。此外，为避免来自后级的噪声贡献，就需要采用较大的前端增益，从而降低了系统带宽。如果没有隔离，那么所有的接地反弹或干扰都会出现在输出端，并有可能破坏放大器及其输入信号的低内部噪声的局面。表现良好的低噪声仪表放大器可以简化设计，并降低共模电压、电源波动和温度漂移引起的残留误差。