IGBT作为电力电子领域的元件之一，其结温Tj高低，不仅影响IGBT选型与设计，还会影响IGBT可靠性和寿命。因此，如何计算IGBT的结温Tj，已成为大家普遍关注的焦点。由基本的计算公式Tj=Ta+Rth(j-a)*Ploss可知，损耗Ploss和热阻Rth(j-a)是Tj计算的关键。 　　1. IGBT损耗Ploss计算基础知识 　　                                                                             图1  IGBT导通损耗和开关损耗示意图 　　如上图1所示，IGBT的损耗Pl

MOSFET的传导损耗。 温度依赖性。

思科的经典资料，关于无线传输距离损耗计算的，值得参考一下。

研究了单色光在损耗介质中激励的受激布里渊散射,运用分布起伏噪声源模型描述了受激布里渊散射的产生过程,通过傅里叶变换,得到了输出斯托克斯光波的功率谱密度。

&4.3.1减少复合效应 复合损耗 复合效应同时造成光生电流（即短路电流）和前置偏压注入电流（即开路电压）的损失。人们通常依据发生在电池内的区域不同来对复合进行分类。一般来说，发生在电池表面（表面复合）和电池体内（体复合）的复合是主要的复合形式。而耗尽区则是另外一个会发生复合的区域。

:介绍了损耗均衡算法的相关研究进展情况对损耗均衡问题进行了分析.针对目前常用的NAND Flash 存储器，利用闵值控制静态损耗均衡的触发条件，改进了传统的垃圾回收方案，提出了一种适用于嵌入式 存储设备的静态负载均衡算法，避免了传统算法的复杂性.

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变频器中的IGBT模块损耗计算及散热系统设计

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