基于氮化镓的高电子迁移率场效应晶体管(GaN HEMT)具有电子迁移率高、耐高温和极低的寄生电容等诸多特点而成为开关变换器领域关注的焦点。限于目前的制造工艺,基于氮化镓材料的MOS开关器件更容易做成耗尽型,针对耗尽型GaN HEMT器件的负电压关断特性,结合其应用于开关变换器的上电短路问题,提出一种GaN HEMT器件与增强型MOSFET的组合开关电路,可实现对耗尽型GaN HEMT器件的开、关控制及可靠关断,但其关断速度不够快。为此,提出一种快速关断GaN HEMT器件的驱动电路,并得到了进一步提高GaN HEMT器件开关速度的改进电路,可实现对耗尽型GaN HEMT器件快速可靠关断。实例及实验结果验证了所提出电路的可行性。

MOS管开关电路原理图(常用驱动电路设计及应用 讲解

通过Internet传输输入信号。 硬件组件: Arduino UNO和Genuino UNO× 1 Arduino Mega 2560和Genuino Mega 2560× 1 用于Arduino的PHPoC Shield× 2 PHPoC 4端口中继板× 1 PHPoC 4端口数字输入板× 1 开关× 1 灯× 1 在现实生活中，我们通常将设备放置在不同的区域（例如，像不同房间的灯泡）。控制这些设备的传统方法是通过本地安装的按钮/开关。 现在你甚至可以通过智能手机应用程序，网络浏览器等来控制。在这个项目中，我只想告诉你如何制作一个简单的集中控制面板。这意味着，您可以坐在一个房间里，桌子上的所有按钮/开关，并使用它们来控制任何地方的任何东西。 实际上，这种类型的应用程序可以称为“Internet交换机”，而输入信息通过TCP / IP网络转发，然后在另一方通过因特网，输出控制信号基于那些输入信息。 现在我要告诉你我是如何进行互联网切换的。它允许我使用开关通过互联网远程控制设备（切换灯开/关）。

描述 该参考设计适用于自主音频耳机开关应用。一些音频耳机已经集成了模拟麦克风。音频插孔连接器上的 GND 和 MIC 连接可调换，具体取决于制造商。该设计可以检测音频耳机上是否配有模拟麦克风、检测 MIC 和接地引脚的引脚配置，以及将系统 MIC 引脚切换至正确的音频插孔连接器。这使得客户的音频解决方案能够与所有制造商的耳机无缝配合使用。 特性 VDD 范围 = 2.6V 至 4.7V，带接地 FET 开关（60mΩ 典型 RON） 由外部触发器引脚启动检测 支持通过接地 FET 传输 FM 信号 减少卡嗒/爆裂噪音 总谐波失真 (THD) (Mic):典型值 0.002% 8kV 接触放电 (IEC 61000-4-2) ESD 额定值（针对 Sleeve、Ring2 和 Tip）

电容阻碍电压变化，通高频、阻低频，通交流、阻直流; 电感阻碍电流变化，通低频、阻高频，通直流、阻交流。

有源开关电路Proteus仿真电路.rar

8通道电子开关电路.doc

运用Multisim搭建的三极管开关电路仿真，选用PNP和NPN三极管相匹配，可以自己灵活选择三极管型号。

本文主要讲了PNP型三极管做的典型开关电路，下面一起来学习一下

效应管在mpn中，它的长相和我们前面讲的三极管极像，所以有不少修mpn的朋友好长时间还分不分明，统一的把这些长相相同的三极管、场效应管、双二极管、还有各种稳压IC通通称作“三个脚的管管”，假如这样麻木不分的话，你的维修技术恐怕很难快速进步的哦！好了，说到这里场效应管的恐怕我就不用贴图了，在电路图中它常用 ： 表示，关于它的结构原理由于比拟笼统，我们是浅显化讲它的运用，所以不去多讲，由于依据运用的场所请求不同做出来的品种繁多，特性也都不尽相同；我们在mpn中常用的普通是作为电源供电的电控之开关运用，所以需求经过电流比拟大，所以是运用的比拟特殊的一种制造办法做出来了加强型的场效应管（MOS型），它的电路图符号： 认真看看你会发现，这两个图似乎有差异，对了，这实践上是两种不同的加强型场效应管，第一个那个叫N沟道加强型场效应管，第二个那个叫P沟道加强型场效应管，它们的的作用是刚好相反的。前面说过，场效应管是用电控制的开关，那么我们就先讲一下怎样运用它来当开关的，从图中我们能够看到它也像三极管一样有三个脚，这三个脚分别叫做栅极（G）、源极（S）和漏极（D），mpn中的贴片元件表示图是