该 m 文件提供了有关一些半导体基本原理的信息，即费米-狄拉克积分、能带隙与温度的关系、本征载流子密度以及作为温度和掺杂浓度函数的 Si、Ge 和 GaAs 中的费米能级位置（在这些图中，还显示了带隙和费米本征能级对温度的依赖性。 对于费米能级的计算，电荷中性方程通过假设费米-狄拉克统计而不是麦克斯韦-玻尔兹曼统计进行数值求解。 由于上述原因，该程序可用于计算非简并或简并半导体的费米能级位置。 可以将掺杂浓度更改为 Fermi_Level.m（第 9 行）中的特定值。 期刊： 参考文献 1：固态电子学，25, 1067 (1982) 参考文献 2：半导体物理电子学，Sheng S. Li。 pp 89 参考文献 3：Physica Status Solidi(b) vol。 188, 1995, 第 635-644 页图书： 半导体物理电子第二版。 斯普林格李盛生先进半导体基础第二版。

NVIDIA费米架构白皮书：In order to take graphics to the next level of visual realism however, NVIDIA engineers recognized early on that we had to make our next architecture even more efficient than Kepler