Memory Systems: Cache, DRAM, Disk is the fi rst book that takes on the whole hierarchy in a way that is consistent, covers the complete memory hierarchy, and treats each aspect in signifi cant detail. This book will serve as a defi nitive reference manual for the expert designer, yet it is so complete that it can be read by a relative novice to the computer design space. While memory technologies improve in terms of density and performance, and new memory device technologies provide additional properties as design options, the principles and methodology presented in this amazingly complete treatise will remain useful for decades. I only wish that a book like this had been available when I started out more than three decades ago. It truly is a landmark publication. Kudos to the authors.

图表示可以说是读取DRAM之前的准备状态，数据线与预充电电源相接，将数据线的电压设置为预充电电压，数据线借助寄生电容，即使将预充电开关设置为OFF，数据线的电压也会保持预充电电压（当然，由于存在漏电流因而会逐渐下降）。这样的操作称为预充电。          图 DRAM的读取（预充电） 　　欢迎转载，信息来源维库电子市场网（www.dzsc.com）  来源:ks99

战锤 RowHammer的内存测试仪。 （基于Memtest86 + v5.01构建。） RowHammer是一种新型的内存故障，仅在最近几代的DRAM芯片中才发现[1]。 仅从同一地址读取> 100K次，就有可能破坏附近地址中的数据。 从技术上讲，对同一DRAM行的重复“激活”会破坏相邻DRAM行中的数据。 RowHammer受到安全威胁，因为它允许恶意程序破坏内存保护。 这是因为不同的DRAM行被映射到不同的软件页面。 截至2014年中，该问题尚未得到很好的宣传。 入门 有两种启动测试的方法：从引导加载程序或从磁盘。 选项1：从引导程序（例如，GRUB2） $ cd rowhammer/src $ make $ sudo cp memtest.bin /boot $ sudo vi /boot/grub2/grub.cfg # add new en

这是关于用labVIEW来开发FPGA，读取DRAM数据和做FFT的程序。

详细描述了DRAM各端口的定义，通过时序图分析DRAM读写过程，方便控制

JEDEC---HBM2(High Bandwidth Memory DRAM)

比较全面和详细得介绍了现代计算机存储体系结构

DDR4 SDRAM Registered DIMM Design Specification, DDR4服务器内存条Jedec标准设计规范

内存的正式名字叫做“存储器”，是半导体行业三大支柱之一。2016年半导体市场规模为3400亿美金，存储器就占了768亿美元。对于你身边的手机、平板、PC、笔记本等所有电子产品来说，存储器就类似于钢铁之于现代工业，是名副其实的电子行业“原材料”。 　　存储器芯片领域，主要分为两类：易失性和非易失性。易失性：断电以后，存储器内的信息就流失了，例如 DRAM，主要用来做PC机内存(如DDR)和手机内存(如LPDDR)，两者各占三成。非易失性：断电以后，存储器内的信息仍然存在，主要是闪存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要应用于代码存储介质中，而 NAND 则用于数据存储。

SDRAM芯片的预充电与刷新操作;内存双通道原理全面剖析;之所以称为DRAM，就是因为它要不断进行刷新（Refresh）才能保留住数据，因此它是DRAM最重要的操作。