为了减小带隙基准源的温度系数和提高温度补偿的灵活性，设计了一种改进型分段线性补偿方法。利用双极型晶体管的温度非线性在整个温度区域内产生7段不同斜率的补偿电流，通过电流模形式对基准电压的高阶温度分量进行叠加，进而对带隙基准电压实现精确温度补偿。基于0.25 μm BCD工艺设计了一款低温漂高精度的带隙基准源。HSPICE仿真结果表明，在5 V电源电压下，在-40 ℃～125 ℃温度范围内，基准电压的温度系数为0.37×10-6/℃，低频时电路的电源抑制比为-85 dB。电源电压在2 V～5 V范围内，基准电压的线性调整率为0.09 mV/V。

在传统的电流模电压基准结构下，基于一阶补偿后的电压基准输出特性，设计了一个简单的高、低温补偿电路，在宽的温度范围内(-50~150 ℃)，显著提高了电压基准的精度。同时，对电路进行简单的改进，输出电压获得了高的电源抑制比。对设计的电路采用TSMC 65 nm CMOS工艺模型进行仿真，在1.5 V的电源电压下，PSRR为-83.6 dB，温度系数为2.27 ppm/℃。

人工智能-机器学习-计算二维声子晶体带隙及响应谱的边界积分方程法研究.pdf

本报告中包含了带隙基准电路的分析,HSPICE网表的编写，电路的仿真结果

微分传输矩阵法(DTMM)可以解析求解一维非均匀介质中的波动方程。用该方法,对几种折射率连续且周期分布的一维光子晶体进行了带隙分析。结果表明,折射率连续变化的一维周期结构也具有明显的带隙特征,折射率变化越平缓,光带隙的宽度越小。对于折射率正弦变化的一维光子晶体,其折射率变化得越剧烈,光子晶体的中心频率越小,带隙越宽;同时,折射率的平均值越大,中心频率越小,带隙越窄。由于材料的物理特性都是连续变化的,同样可以把结构推广到一维周期性功能梯度材料。

最新带隙基准源电路与版图设计.pdf

提出了一种具有全带隙的光子晶体结构。基于GaAs材料的六角晶格结构，将各格点之间用特定宽度的介质波导相连，可构成具有全带隙的光子晶体结构。在此基础上，引入空心格点，将有效增大全带隙宽度。使用平面波展开法对该结构进行了理论分析。仿真结构表明，最大绝对禁带宽度△ω为0．061 9ωe(a是晶格常数，c是光速，ω=2πc／a)，禁带中心频率ωmid为0．663ω，相对禁带宽度为△ω／ωmid=9．3％。采用该结构，可以有效构造出全带隙，避免了光子晶体结构偏振选择特性。

毕业设计 带隙基准电压源设计 bandgap

本文采用自偏压电流源电路，去掉运算放大器，利用MOS管电流镜技术补偿其输出电压所经过的三极管的基极电流获得精确的镜像电流，得到了在-20～+80℃温度范围内具有3×10-6？℃的温度系数的基准电压。

photonic-bandgap-comsol-matlab：通过COMSOL-MATLAB脚本计算2D光子晶体的带隙