电压基准在模拟电路中提供一个受电源或温度等影响较小的参考电压，以保证整个电路正常工作。设计了一种低温漂低功耗带隙基准电压源，采用不受电源影响的串联电流镜做偏置，利用PTAT电压的正向温度系数和基极发射极电压的负向温度系数特性，以适当的系数加权构造零温度系数的电压量。该设计避开了运放的应用，结构简易，原理清晰，便于入门级的同学在短时间内学习掌握。0～70 ℃范围内，温漂系数为16.4 ppm/℃。供电电压在5～6 V范围内变化时，电源抑制比达57.7 dB。总输出噪声为140.3 μV，功耗为300.6 μW。

‡ 改进的电流源 与电源无关的偏置 ‡ 带隙基准 „ 正温度系数 „ 负温度系数 ‡ PTAT电流源的产生

一种结构简单的基于LDO稳压器的带隙基准电压源，以BrokaW带隙基准电压源结构为基础来进行设计。采用Cadence的Spectre仿真工具对电路进行了完整模拟仿真，-20～125℃温度范围内，基准电压温度系数大约为17.4 ppm/℃，输出精度高于所要求的5‰;在1 Hz到10 kHz频率范围内平均电源抑制比(PSRR)为-46.8 dB。电路实现了良好的温度特性和高精度输出。     关键词：带隙基准;LDO稳压器;温度系数;电源抑制比;运算放大器     CMOS带隙基准电压源不但能够提供系统要求的基准电压或电流，而且具有功耗很小、高集成度和设计简便等优点，广泛应用于模拟集成电路和混

cadence virtuoso教程，以无运放的的Bandgap为例，介绍工艺角仿真

模拟集成电路设计 带隙基准.ppt

设计了一款带隙基准电压源，基于0．18μm的CMOS工艺，在Hspice下仿真，仿真结果表明，温度在-25～80℃内变化时，温度系数为9．14×10-6℃；电源电压在3～5 V之间变化时，基准电压在1 250±43 mV内变化，满足设计要求。

基准电压源可广泛应用于A/D、D/A转换器、随机动态存储器、闪存以及系统集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工艺设计了具有高稳定度、低温漂、低输出电压为0.6 V的CMOS基准电压源。

本文阐述了 Banba 和 Leung 两种基本带隙基准电压源电路的工作原理，分析了 Leung结构对于 Banba 结构改进的方法，分别对两个电路的参数进行了设计，并仿真其性能，由此来比较了它们各自的特点。 得到的结论是 Banba 结构的输出电压温度系数更小， 而 Leung结构的最低电源电压可以降到 1V 左右，有益于向低电压设计的发展。仿真采用 SMIC0.18um 标准 CMOS Spice 工艺模型在 Hspice 中进行，两者的输出电压都在 0.5V 左右，温度系数在 10e-5 数量级，成品受到其他非理想因素的影响，温度系数会大一点。由于时间和设备有限，暂时无法实现成成品，所以目前所有指标都是仿真理想值

带隙基准电压源(Bandgap)设计范例

行业分类-电子-一种低压低功耗的带隙基准电路.zip