射频LNA设计要求：低噪声放大器（LNA）作为射频信号传输链路的第一级，它的噪声系数特性决定了整个射频电路前端的噪声性能，因此作为高性能射频接收电路的第一级LNA的设计必须满足：（1）较高的线性度以抑制干扰和防止灵敏度下降;（2）足够高的增益，使其可以抑制后续级模块的噪声;（3）与输入输出阻抗的匹配，通常为50Ω;（4）尽可能低的功耗，这是无线通信设备的发展趋势所要求的。

摘 要：结合一个2．4 GHz CMOS低噪声放大器(LNA)电路，介绍如何利用Cadence软件系列中的IC 5．1．41完成CMOS低噪声放大器设计。首先给出CMOS低噪声放大器设计的电路参数计算方法，然后结合计算结果，利用Cadence软件进行电路的原理图仿真，并完成了电路版图设计以及后仿真。仿真结果表明，电路的输入／输出均得到较好的匹配。由于寄生参数，使得电路的噪声性能有约3 dB的降低。对利用Cadence软件完成CMOS射频集成电路设计，特别是低噪声放大器设计有较好的参考价值。 　　0 引 言 　　Cadence Design Systems Inc．是全球最大的电子设计技术、

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1 引 言　　目前，在高达数GHz的RF频段范围内，广泛使用的是GaAs MESFET LNAs，其优点是能够在功率增益高达20 dB的同时，使噪声系数低至大约1 dB。但随着CMOS电路技术的成熟，近来对RF CMOS电路元件的研究成果越来越多，在无线通信系统上也已经实现了SoC化。如果CMOS制造技术能克服噪声大，功率损耗大等缺点，凭借其低廉的价格，CMOS LNAs将有可能在数GHz的RF频段范围内，逐渐取代GaAs MESFET LNAs。　　由于LNAs通常位于整个接收电路的   级，由式（1）可以看出，   级的LNAs对于接收电路有很大的影响。所有在设计LNA电路时，应考虑降低噪

提出了一个低噪声、高线性的超宽带低噪声放大器（UWB LNA）。电路由窄带PCSNIM LNA拓扑结构和并联低Q负载结构组成，采用TSMC 0.18 μm RFCMOS工艺，并在其输入输出端引入了高阶带通滤波器。仿真结果表明，在1.8 V直流电压下LNA的功耗约为10.6 mW。在3 GHz～5 GHz的超宽带频段内，增益约为13.5 dB，输入、输出回波损耗S11、S22均小于-14 dB，噪声系数（NF）为0.875 dB～4.072 dB，三阶交调点IIP3均值为5.35 dB。

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