2 WSID 关键技术分析RFID 与WSN 的三种融合方式解决的是两者融合结构的问题,但是两者融合技术层面的问题也是关键.在融合过程中所涉及的关键技术有路由技术.中间件技术以及数据融合等.   2.1 路由技术路由协议的作用是寻找从源节点到目的节点的最佳路径,将数据分组沿着最佳路径进行转发.路由协议的功能主要有两个方面:一是搜索满足条件的从源节点到目的节点的优化路径;二是转发资料分组.目前,研究人员根据路由协议自身的特点以及应用类型等,将路由协议分为以下几个类型.   2.1.1 以数据为中心的路由协议该协议设计主要考虑用户是否能够方便快捷地查询数据.   在实际应用中,终端用户往往只
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大停电与电力系统的复杂性 大停电的自组织临界性 大停电的连锁故障模型 复杂电力网络的结构脆弱性和连锁故障演化 连锁故障动态过程中的协同学特征
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一种简单预失真器的理论研究和实际应用,袁堃,,基于肖特基二极管的模拟预失真是目前改善功放线性比较简单的方法。本文在射频发射机高功率放大器前面使用模拟预失真技术,通过相
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离心泵叶轮回转S_1流面流函数方程的理论研究.rar
2021-04-01 13:06:20 313KB 离心泵叶轮回转S_1流面流函数方
详细地介绍了计算线宽展宽因子(α因子)的理论基础及推导过程,建立了α因子的简便模型.该模型分别考虑了带间跃迁、带隙收缩和自由载流子效应对α因子的影响,利用不同载流子浓度下的增益曲线得到光子能量随载流子浓度的变化速率以及微分增益,进而对α因子进行近似计算.模拟计算了InGaAs/GaAs量子阱激光器的增益曲线及α因子的大小,计算结果与文献报道的实验值相符.进一步讨论了InGaAs/GaAs量子阱阱宽及In组分对α因子的影响.结果表明,α因子随In组分和阱宽的增加而增加.
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1 kHz,2 mJ,45 fs,800 nm激光脉冲通过次饱和区(相对湿度〜73%,T〜4.3℃)。 激光照射60分钟后,呈椭圆形在灯丝中心正下方观察到雪堆,重约12.0 mg。 气流速度涡流的边缘估计为〜16.5 cm / s。 从侧面看录制的分散场景灯丝引起的湍流是在云室内形成的,灯丝下方有两个涡流。 在云室的两个横截面中的气流运动的二维模拟证实了灯丝下方存在湍流涡流。 基于此模拟,我们推断出涡流确实具有三维椭圆形。 因此,我们建议在湿度过饱和的内部涡流中或饱和的凝结核,即HNO3,N2 +,O2 +和其他气溶胶和杂质被激活并扩大了规模。 最终,大颗粒会沿着快速移动的方向朝旋转方向旋转。 冷板并在末端形成一个椭圆形的雪堆。
2021-03-05 14:05:38 1.98MB 研究论文
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给出了阶梯型三能级原子系统在相等偏调情况下的运动主方程,得到了双光子增益系数公式.讨论了增益系数与偏调的关系曲线.
2021-03-04 11:05:57 3.95MB 论文
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宽带吸收器由于其在实际应用中的广阔前景而备受关注。 该机制通常是几组具有不同几何尺寸的结构的叠加。 本文中,我们在数值上研究了基于多层相同尺寸的正方形板结构的,与现有的基于超材料的宽带太赫兹吸收器不同的方法。 在中心频率与1.96 THz相似的300 GHz频率范围内,可以获得大于99%的吸收。 该设备的FWHM最高可达到42%(相对于中心频率),是单层结构的2.6倍。 在很宽的入射角范围内都能很好地保持这种特性。 宽带吸收器的机理归因于层之间的纵向耦合。 设计的超材料吸收器的结果对于太阳能电池,检测和成像应用看来非常有希望。
2021-03-02 17:05:36 534KB Bandwidth; metamaterial; perfect absorber;
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基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对Ge 掺杂(GexSi1-xC)的6H-SiC 电学、光学特性进行了理论计算和分析。杂质形成能的计算结果表明,Ge 原子占据Si 位后能量更低,更加稳定。通过对电子结构、态密度和光学性质的比较发现,6H-SiC 的价带顶主要由C 的2 p 态占据,而导带底由Si 的3 p 态占据。随着更多的Ge 掺入,导带底位置逐渐由Si 的3 p 态电子决定转变为Ge 的4 p 态电子决定,同时导带底向低能方向移动,带隙变窄。比较介电常数发现,对Ge 掺入最多的Ge0.333Si0.667C,其电子跃迁机理比6H-SiC 简单,吸收边及最大吸收峰分别向低能方向红移了0.9 eV 及3.5 eV。
2021-03-02 09:06:12 2.73MB 6H-SiC Ge 掺杂 第一性原
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不饱和双核羰基铁羰基衍生物中新型硫代硼烷基偶联React的密度泛函理论研究
2021-02-25 14:08:59 1.5MB 研究论文
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