0 引言 　　随着芯片集成度的不断提高，Cu已经取代A1成为超大规模集成电路互连中的主流互连材料。在目前的芯片制造中，芯片的布线和互连几乎全部是采用直流电镀的方法获得Cu镀层。在直流电镀中，由于金属离子趋近阴极不断被沉积，因而不可避免地造成浓差极化。而脉冲电镀在电流导通时，接近阴极的金属离子被充分地沉积；当电流关断时，阴极周围的放电离子又重新恢复到初始浓度。脉冲电镀的主要优点有：降低浓差极化，提高了阴极电流密度和电镀效率；改善镀层物理性能；所得镀层具有较好的防护性；能获得致密的低电阻率金属沉积层。 　　脉冲电镀理论20世纪初就已被提出。近几年来，国外陆续发表了一些关于脉冲电镀在集成电路Cu

完整英文版 IEC 60799：2022 CSV Electrical accessories - Cord sets and interconnection cord sets - （电气附件 - 线组和互连线组）。IEC 60799:2018+AMD1:2022 规定了家用和类似通用设备的电线组件和互连电线组件的要求。它不适用于工业用途的电线组件（带有符合 IEC 60309 的插头和连接器），也不适用于电线延长组件。

CMOS数字芯片互连设计中的串扰，贾琛，李玉山，随着深亚微米技术的发展，互连问题已经变为现今大规模数字电路和混合信号集成电路中的主要问题，它直接影响着电路的性能和可靠性

对互连线的当前问题提供面向物理设计的全面论述，本书同时包括了互连线的分析与综合两个方面的内容，是一本值得一看的书籍。

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在深亚微米尺寸的集成电路设计中，可制造性设计变得越来越重要。从180nm时代开始，铜互连代替铝已成为趋势，但是铜在制造工程中难刻蚀，因此在工业上引入了化学机械研磨。为了使化学机械研磨取得好的平坦化效果，必须预先改善设计，对版图金属布局进行冗余金属填充，使之满足工艺生产要求。因此，对版图金属布局进行冗余金属填充，成为研究的热点。文章研究了冗余金属的各种因素对互连线电容特性的影响，并在此基础上给出了优化的冗余金属填充方案。