内容概要：本文详细介绍了利用COMSOL进行MPCVD（微波等离子体化学气相沉积）装置中H2低气压放电及等离子体沉积刻蚀的仿真方法。主要内容涵盖基础配置、电磁场与等离子体模块的耦合、网格划分、求解器设置以及后处理等方面的技术要点。文中还提供了多个MATLAB代码片段，帮助读者理解和应用具体的仿真步骤。同时，文章强调了在不同气压条件下，如何调整参数以确保仿真结果的准确性，并分享了一些实用技巧和避坑指南。 适用人群：从事等离子体物理研究、MPCVD装置设计与优化的研究人员和技术人员，尤其适用于有一定COMSOL使用经验和MATLAB编程基础的用户。 使用场景及目标：①掌握MPCVD装置中H2低气压放电及等离子体沉积刻蚀的仿真流程；②提高仿真效率，减少计算时间和错误；③通过仿真优化实际工艺参数，如气压、微波功率、电场强度等，从而改善沉积和刻蚀效果。 其他说明：文章不仅提供了详细的理论解释和技术指导，还结合实际案例进行了深入剖析，使读者能够更好地将理论应用于实践。此外，文中提到的一些特殊现象（如等离子体收缩、鞘层振荡等）及其应对措施，对于解决实际问题具有重要参考价值。

蓝宝石选择性激光刻蚀技术的研究进展 ，宋学辉，曲正坤，蓝宝石是红外光学、衬底材料、高温高压环境光学元件的重要材料，在军事和民用领域都有广泛应用。然而，因蓝宝石的高硬度和高化学

半导体制造-刻蚀工艺介绍.doc

湿法刻蚀工艺和干法刻蚀工艺的比较？ 干法刻蚀优缺点： 分辨率高 各向异性腐蚀能力强 均匀性、重复性好 便于连续自动操作 成本高，选择比一般较低 湿法刻蚀的优缺点： 成本低廉 选择比高 各向同性 腐蚀速率难以控制

光刻与刻蚀工艺

光刻与刻蚀工艺.

优化刻蚀以改善垂直型氮化镓功率电子器件的选区掺杂

（2）复杂的几何刻蚀例子： 下面的例子刻蚀掉了以(0.8,0)(0.8,-0.15)(1.2,-0.15)(1.2,0)为坐标顶点的矩形氧化物区域. ETCH OXIDE START X=0.8 Y=0.0 ETCH CONTINUE X=0.8 Y=-0.15 ETCH CONTINUE X=1.2 Y=-0.15 ETCH DONE X=1.2 Y=0.0 刻蚀前 刻蚀后

8.10.1、图形的保真度 经过腐蚀之后图形，通常呈现为三种情况， 设纵向腐蚀速率为Vv、侧向腐蚀速率为Vl。 图(a)，Vl =0，腐蚀只沿纵向进行，为各向异性腐蚀。 图(b)和(c)，在纵向腐蚀的同时，侧向也进行了腐蚀。若Vv = Vl ，为各向同性腐蚀。

行业文档-设计装置-书写式导电体表面电化学刻蚀方法及其装置.zip