内容概要：本文档由Synopsys发布，主要介绍了用于精确高效单元级延迟计算的CCS（Composite Current Source）Timing模型。随着集成电路设计进入90nm及以下工艺节点，物理效应和设计风格的变化给延迟计算带来了新的挑战。CCS Timing模型通过创建驱动器模型、降阶模型（如Block Arnoldi）和接收器模型来替代实际电路组件，从而实现高精度和快速计算。该模型解决了传统Thevenin和Norton模型在处理高阻抗网络时的局限性，提供了对输入边沿、输出负载、切换方向和单元状态的依赖性的强大捕捉能力。此外，CCS Timing支持多电压域（multi-Vdd）和动态电压频率调节（DVFS）设计，并能进行非线性Vdd缩放。; 适合人群：从事数字集成电路设计和验证的工程师，特别是那些需要进行精确延迟计算和时序收敛的专业人士。; 使用场景及目标：①适用于90nm及以下工艺节点的设计，确保在高阻抗网络下的高精度延迟计算；②支持多电压域和动态电压频率调节设计；③提高时序分析的准确性，减少与电路仿真之间的误差；④优化延迟计算以应对复杂的物理效应和设计风格变化。; 其他说明：文档详细描述了CCS Timing的建模方法、表征过程及其相对于传统模型的优势。同时，还介绍了紧凑型CCS格式和变异感知扩展，以减少数据量并适应工艺变化。读者可参考相关文档获取更多信息。

实验任务及目的 1. 了解常见电离层、对流层延迟消除方法； 2. 掌握模型消除、双频改正消除电离层延迟的原理和计算方法，进行程序设计、分析消除效果； 3. 掌握模型消除对流层延迟的原理和计算方法，进行程序设计、分析消除效果； 4. 对比分析GPS和北斗Klobuchar模型消除效果。 .m函数文件说明： 文件名 输入参数 函数说明 I_delay Type,E,A,rou0,t_gps,pos Klobuchar模型计算电离层延迟 ffv f1,f2,rou1,rou2 双频改正计算电离层延迟 T_delay E,rou0 对流层延迟计算 pdf内容主要包括程序设计思路、预期功能、算例及结果分析的阐述，以及笔者对编程过程中一些常见问题和注意事项的总结。

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计算并绘制使用 tf 创建的系统的 semilogx 标度中的群延迟。 这包括连续时间系统和 s 域传递函数。 例如H = tf(1,[1 1]); %// 1 弧度/秒截止的一阶低通groupDelaytf(H) 这将绘制 H. 中指定的滤波器的群延迟。

基于Python自相关法时间序列的时间延迟计算，用matlab程序翻译成python并修改调试成功，很辛苦的额。 用于混沌系统、故障诊断等的相空间重构中的时间延迟计算。