以二维三角晶格光子晶体为研究对象，在该光子晶体中引入两行平行的单模线缺陷波导，以一行耦合介质柱为间距，通过调节部分耦合介质柱的折射率，构筑了光子晶体异质结耦合波导光开关结构。利用平面波展开法和定向耦合原理计算了在不同入射光频率下，缺陷波导间耦合介质柱的折射率不同时的耦合长度，确定了合适的光子晶体异质结耦合波导光开关的结构参数。利用时域有限差分法研究了该光开关中耦合介质柱的折射率变化及异质结构介质柱的位置分布对光信号输出路径的影响。结果表明，通过改变该结构中耦合介质柱的折射率可以改变光的输出路径，可实现光的开关行为。并且异质结构介质柱位置的随机分布对该光开关的影响不大，有助于光子晶体新型滤波器、定向耦合器、波分复用器以及光开关等光子器件的研究。
2023-03-05 12:33:48
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基于AlGaN电子阻挡层的ZnO异质结激子发光二极管的研制，李长鸣，梁红伟，通过在n-ZnO与p-GaN之间引入AlGaN电子阻挡层，在电注入下利用该种结构实现了来自于ZnO的紫外发光。该异质结结构表现出典型的二极管整流
2023-02-26 17:23:49
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为了改善SiGe异质结双极晶体管（HBT）的电学和频率特性，本文设计了一种新颖的SOI SiGe异质结双极晶体管结构。 与传统的SOI SiGe HBT相比，该器件结构的发射极和集电极区域的窗口宽度更小。 在Si0.85Ge0.15引起的附加单轴应力作用下，集电极区，基极区和发射极区均发生应变，这有利于提高SiGe HBT的性能。 借助SILVACOⓇTCAD工具，数值模拟结果表明，在1062和186 V时分别获得了最大电流增益βmax和Earley电压VA，β与VA的乘积即β×VA为1.975×105当基极中的Ge分量配置为梯形分布时，V和峰值截止频率fT为419 GHz。 与传统的SOI SiGe HBT相比，提出的SOI SiGe HBT架构的截止频率fT改善了52.9％。
2022-05-12 14:49:16
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行业分类-设备装置-具有垂直结构的SnSesub2subMoSesub2sub新型异质结的制备方法及其场效应性能改性方法.zip
2021-09-08 17:01:35
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行业-电子政务-异质结双极型晶体管和利用它构成的半导体集成电路器件.zip
2021-09-04 18:01:35
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电源设备行业光伏电池深度研究（一）：光伏牛市下一个风口，N型异质结电池-20190125-中信建投-26页.pdf
2021-09-03 18:06:20
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