纳米线光电探测器具有响应速度快，光电转换效率高的优点，可广泛应用于各个行业。 但是，丰富的表面态会导致较大的暗电流，并会阻碍高性能纳米线光电探测器的发展。 本文研究了硫表面钝化对单个GaAs纳米线光电探测器暗电流的影响及其机理。 表面钝化后，暗电流显着降低了约30倍。 我们确认暗电流减少的根源是表面态密度的减少。 结果，实现了具有7.18××10-2 pA的低暗电流和9.04××1012 cmHz0.5W-1的高检测率的单个GaAs纳米线光电探测器。 已经提出了一种实现高性能基于GaAs的光电检测器的简单方便的方法。

探测器暗电流噪声matlab仿真。暗电流噪声是随着暗电流的增加而增加的。随着温度的升高和CCD/CMOS传感器持续工作时间的延长（曝光时间的增加），暗电流必然会增加（由热量产生的额外电子会累积）。这样一来暗电流噪声也会显著增加。

Ge-APD及InGaAs／InGaAsP／InPS AGM-APD都可以用来探测 1.1 ～1.6m的红外光。在长波长光纤通信系统中，需要波长 为1.3 ～1.5 Spm

电路是一个高速光电二极管信号调理电路，具有 暗电流补偿功能。系统转换来自高速硅PIN光电二极管的 电流，并驱动20 MSPS模数转换器(ADC)的输入。该器件组 合可提供400 nm至1050 nm的频谱敏感度和49 nA的光电流 敏感度、91 dB的动态范围以及2 MHz的带宽。信号调理电 路采用±5 V电源供电，功耗仅为40 mA，适合便携式高速、 高分辨率光强度应用，如脉搏血氧仪。 本电路还适合其它应用，如模拟光隔离器。它还能满足需 要更高带宽和更低分辨率的应用，如自适应速度控制系 统。 本电路笔记讨论图1中所示电路的优化设计步骤，以满足 特定带宽应用的要求，这些步骤包括:稳定性计算、噪声 分析和器件选择考虑因素。

行业-电子政务-减小背照式图像传感器的暗电流.zip

行业-电子政务-暗电流切断装置及暗电流切断方法.zip

无暗电流的红外光探测器

暗电流在科学级电荷耦合器件(CCD)长时间曝光测试实验中是主要的噪声之一。实验测试了暗电流信号平均计数随曝光时间的变化关系，并经过计算得出-10 ℃和-20 ℃下暗电流分别为2.43 ADU/(s·pixel)和0.4854 ADU/(s·pixel),同时测试了暗电流随CCD制冷温度的变化特性，结果显示暗电流随温度类似指数函数形式变化。由于CCD机械快门的时间响应特性对科学级光学CCD的短时曝光计数的影响比较大，实验测试了CCD平均计数和曝光时间的关系，得出实验所用的TEK 512 pixel×512 pixel DB CCD的机械快门在18 ms时能够完全打开。