DRV8711外置mos步进电机驱动芯片用例、使用国产MS35711T芯片也可以参考。此文母版乃TI芯片datasheet通过网络翻译而成，供网友方便学习交流，文中不当之处请参考原文，多包涵

详细的步进电机驱动A4988产品手册，包含其电气特性、使用说明等。

与VED29系列步进电机相配套的仪表电机专用驱动芯片！在对电机进行操作时！可以很方便的控制电机的方向和速度！

步进电机驱动芯片A3982手册，这个是英文的手册，仔细看，这个芯片能驱动多数步进电机。

内含有A3977，A4988，A4983，A4985，L6219等电机驱动芯片详细资料，这些芯片控制电机简单，可靠。

前段时间用了这个芯片，英文看着不爽，就给翻译了，人工翻译，包括目录，分享出来供大家参考，如有不准确的地方请参考官方资料，谢谢

GC6609 是36V 2A 微步进静音电机驱动芯片，内置最大 256 细分的步进驱动模式，超静音，低振动。芯片可以工作在 4~36V 的宽工作电压范围内，平均工作电流可以达到 2A，峰值电流 4A。 GC6609内置自动增益控制环路（AGC），对可变负载实现力矩的自动调整补偿，保证力矩一致。电机保持时自动省电功能。全方位的输出保护，包括过温保护，欠压保护，输出短路保护等。 GC6609采用QFN28 封装形式。

关于TB5128 步进驱动芯片： 1. 概述 TB5128 是一种采用 PWM 斩波的两相双极步进电机驱动器。内置时钟解码器。 本驱动器采用 BiCD 工艺制造，额定输出为 50 V/5.0 A（电机电源电压 = 44 V）。 2. 特点  BiCD 工艺集成式单片 IC。  可控一台双极步进电机。  由 PWM 控制的恒流驱动。  低导通电阻（高压侧+低压侧 = 0.25Ω（典型值））  MOSFET 输出级。  允许全步、半步、四分之一步、1/8 步、1/16 步、1/32 步、1/64 步、1/128步  高效电机电流控制机构（ADMD：高级动态混合衰减）  内置无电流检测电阻电路控制结构（ACDS：高级电流检测系统）  高电压和电流（有关规格请参考绝对最大额定功率和工作范围）  多故障检测功能（热关断（TSD）、过流保护（ISD）、上电复位（POR 故障检测（TSD / ISD / OPD）信号输出功能  内置 VCC 调节器供内部电路使用  通过外部电阻和电容可以调节电机的斩波频率。  带有散热焊盘的小型封装 TB51

MCX314是一个用于4轴运动控制的芯片，控制步进电机驱动器或者脉冲型的伺服电机驱动，带位置，速度和插补功能。用于运动控制卡中。它的功能都是通过寄存器来控制的，包括命令寄存器，数据寄存器，状态寄存器和配置寄存器。从大体上来看，整个芯片的框架包括了X,Y,Z,U四轴的控制模块，包括了直线，圆形，和位模式插补三个模块，都由插补控制模块来控制，另外由中断信号的发生器，以及指令的处理模块来管理。

5.5 电机驱动寄存器 微步控制寄存器(0X60…0X6B) R/W 地址 n 寄存器 描述/位名称 范围[单位] W 0x60 32 MSLUT[0] microstep table entries 0…31 根据 MSLUTSEL W 的设置，条目 x 和条目 x + 1 之间 的差值: 0: W= %00: -1 %01: +0 %10: +1 %11: +2 1: W= %00: +0 %01: +1 %10: +2 %11: +3 这是第一个四分之一波的差分编码。CUR_A 和 CUR_B 的 起 始 值 存 储 在 START_SIN 和 START_SIN90 中的 MSCNT 位置 0。 ofs31, ofs30, …, ofs01, ofs00 … ofs255, ofs254, …, ofs225, ofs224 32x 0 or 1 reset default= sine wave table W 0x61 … 0x67 7 x 32 MSLUT[1...7] microstep table entries 32…255 7x 32x 0 or 1 reset default= sine wave table W 0x68 32 MSLUTSEL 该寄存器定义了 MSLUT 正弦波 1/4 周期内的四个 段。四个 2 位条目确定了 MSLUT 表中对应段的位 宽。 参见单独的表！ 0

2021-12-26 22:51:28 2.81MB TMC5160 步进电机驱动芯片

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