碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一，是高温，高频，抗辐照，大功率应用场合下极为理想的半导体材料。文章结合美国国防先进研究计划局DARPA的高功率电子器件应用宽禁带技术HPE项目的发展，介绍了SiC功率器件的最新进展及其面临的挑战和发展前景。同时对我国宽禁带半导体SiC器件的研究现状及未来的发展方向做了概述与展望.