ic 版图设计经验总结 ic 版图设计是集成电路（IC）设计的重要步骤之一。一个良好的版图设计可以确保芯片的可靠性、性能和制造效率。在这里，我们总结了 ic 版图设计的经验总结，包括版图设计的基本原则、版图设计的步骤、版图设计的注意事项和版图设计的技巧。 版图设计的基本原则 1. 版图设计的目标是实现芯片的可靠性、性能和制造效率。 2. 版图设计应该遵守工艺规则和设计规则。 3. 版图设计应该考虑到芯片的电气特性和热特性。 4. 版图设计应该尽量减少芯片的面积和功耗。 版图设计的步骤 1. 分析电路图，了解电路的工作原理和性能要求。 2. 选择合适的工艺和设计规则。 3. 进行版图设计，包括设备的布局、连线和布线。 4. 检查和验证版图设计的正确性和可靠性。 版图设计的注意事项 1. 版图设计应该考虑到芯片的热特性和电气特性。 2. 版图设计应该遵守工艺规则和设计规则。 3. 版图设计应该尽量减少芯片的面积和功耗。 4. 版图设计应该考虑到芯片的可靠性和可维护性。 版图设计的技巧 1. 使用合适的设计工具和软件。 2. 合理安排设备的布局和布线。 3. 使用合适的连接方式和线宽。 4. 考虑到芯片的热特性和电气特性。 ic 版图设计经验总结 1. 查看捕捉点设置是否正确，08 工艺为 0.1，06 工艺为 0.05，05 工艺为 0.025。 2. Cell 名称不能以数字开头，否则无法做 DRACULA 检查。 3. 布局前考虑好出 PIN 的方向和位置。 4. 布局前分析电路，完成同一功能的 MOS 管画在一起。 5. 对两层金属走向预先订好，一个图中栅的走向尽量一致，不要有横有竖。 6. 对 pin 分类，vdd、vddx 注意不要混淆，不同电位（衬底接不同电压）的 n 井分开。 7. 在正确的路径下（一般是进到 ~/opus）打开 icfb。 8. 更改 cell 时查看路径，一定要在正确的 library 下更改，以防 copy 过来的 cell 是在其他的 library 下，被改错。 9. 将不同电位的 N 井找出来。 10. 更改原理图后一定记得 check 和 save。 11. 完成每个 cell 后要归原点。 12. DEVICE 的个数是否和原理图一至（有并联的管子时注意）；各 DEVICE 的尺寸是否和原理图一至。 13. 如果一个 cell 调用其它 cell，被调用的 cell 的 vssx、vddx、vssb、vddb 如果没有和外层 cell 连起来，要打上 PIN，否则通不过 diva 检查。 14. 尽量用最上层金属接出 PIN。 15. 接出去的线拉到 cell 边缘，布局时记得留出走线空间。 16. 金属连线不宜过长。 17. 电容一般最后画，在空档处拼凑。 18. 小尺寸的 mos 管孔可以少打一点。 19. LABEL 标识元件时不要用 y0 层，mapfile 不认。 20. 管子的沟道上尽量不要走线；M2 的影响比 M1 小。 21. 电容上下级板的电压注意要均匀分布；电容的长宽不宜相差过大。 22. 多晶硅栅不能两端都打孔连接金属。 23. 栅上的孔最好打在栅的中间位置。 24. U 形的 mos 管用整片方形的栅覆盖 diff 层，不要用 layer generation 的方法生成 U 形栅。 25. 一般打孔最少打两个。 26. Contact 面积允许的情况下，能打越多越好，尤其是 input/output 部分，因为电流较大。 27. 薄氧化层是否有对应的植入层。 28. 金属连接孔可以嵌在 diffusion 的孔中间。 29. 两段金属连接处重叠的地方注意金属线最小宽度。 30. 连线接头处一定要重叠，画的时候将该区域放大可避免此错误。 31. 摆放各个小 CELL 时注意不要挤得太近，没有留出走线空间。 32. Text2、y0 层只是用来做检查或标志用，不用于光刻制造。 33. 芯片内部的电源线/地线和 ESD 上的电源线/地线分开接；数模信号的电源线/地线分开。 34. Pad 的 pass 窗口的尺寸画成整数 90um。 35. 连接 Esd 电路的线不能断，如果改变走向不要换金属层。 36. Esd 电路中无 VDDX、VSSX，是 VDDB、VSSB。 37. PAD 和 ESD 最好使用 M1 连接，宽度不小于 20um；使用 M2 连接时，pad 上不用打 VIA 孔，在 ESD 电路上打。 38. PAD 与芯片内部 cell 的连线要从 ESD 电路上接过去。 39. Esd 电路的 SOURCE 放两边，DRAIN 放中间。 40. ESD 的 D 端的孔到 poly 的间距为 4，S 端到 poly 的间距为 0.2。 41. ESD 的 pmos 管与其他 ESD 或 POWER 的 nmos 管至少相距 70um 以上。 42. 大尺寸的 pmos/nmos 与其他 nmos/pmos（非 powermos 和 ESD）的间距不够 70um 时，但最好不要小于 50um，中间加 NWELL，打上 NTAP。 43. NWELL 和 PTAP 的隔离效果有什么不同？NWELL 较深，效果较好。 44. 只有 esd 电路中的管子才可以用 2*2um 的孔。怎么判断 ESD 电路？上拉 P 管的 D。

Google Earth划分区域边界图经验总结 本文总结了使用Google Earth（简称GE）软件对城市进行区域划分工作的经验，并且可以应用于暂没有电子地图的初级预规划。主要包括了区域划分方法、区域保存和区域调整三个方面。 区域划分方法：在GE中点选Add Polygon图标，出现Polygon设置页面，然后用鼠标在地图上点划边界，最后按OK（确认）键即可。在Polygon设置页面中，可以输入区域名称、划线颜色和宽度。在Area选项中，选择“Outlined”，则只画出区域边界，如果选择“Filled＋Outlined”，则按照选定颜色填充区域内部；由于规划工作通常只要区域边界，因此建议选择“Outlined”。 区域保存：划好区域后，要在Places界面中查看，划好的Polygon在哪一个文件夹下面；在划区域前，鼠标选择了哪个文件夹，划好的Polygon区域就在哪个文件夹。如果之前没有选择，则划好的Polygon会存放到“Temporary Places”文件夹下，软件关闭时不会自动保存；需要用鼠标将Polygon拖动到My Places文件夹下面，则软件可以自动保存，下次开启软件时Polygon仍旧存在。对于划好的区域，可以右键保存为文件。保存时，kml格式文件可以用Excel打开，kmz为kml的压缩格式，占用空间较小，可以根据情况选择。 区域调整：在GE中划好区域后，可以对其进行修改。在Places界面中选中要调整的区域名，然后右键选择Properties（属性），弹出Polygon设置页面，可以对名称、颜色以及区域边界等进行调整。调整名称和线条颜色的方法同新建Polygon。在Polygon边界调整中，先选择边界中要调整的端点，选中的为蓝色显示，然后按住左键可以拖动，直接调整区域。对于选中的某个端点，在其他区域按鼠标左键，可以按逆时针方向增加新端点；按鼠标右键，可以按顺时针方向逐个消除端点。 区域面积统计：在规划工作中，对划分的区域要统计面积，但普通Google Earth没有统计功能。可以使用Google Earth Pro版本，安装后打开统计功能（Ruler），选Polygon子页面，然后按照原Polygon区域边界划线，得到面积统计结果。也可以使用Global Mapper软件，将GE的地图格式转换为Mapinfo格式，进行精确统计。

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