零功率电阻值 RT（Ω）
RT指在规定温度 T 时，采用引起电阻值变化相对于总的测量误差来说可以忽略不计的测量功率测得的电阻值。
电阻值和温度变化的关系式为：
RT = RN expB(1/T – 1/TN)
RT ：在温度 T （ K ）时的 NTC 热敏电阻阻值。RN ：在额定温度 TN （ K ）时的 NTC 热敏电阻阻值。T ：规定温度（ K ）。B ： NTC 热敏电阻的材料常数，又叫热敏指数。exp ：以自然数 e 为底的指数（ e = 2.71828 …）。
该关系式是经验公式，只在额定温度 TN 或额定电阻阻值 RN 的有限范围内才具有一定的精确度，因为材料常数 B 本身也是温度 T 的函数。
额定零功率电阻值 R25 （Ω）
根据国标规定，额定零功率电阻值是 NTC 热敏电阻在基准温度 25 ℃ 时测得的电阻值 R25，这个电阻值就是 NTC 热敏电阻的标称电阻值。通常所说 NTC 热敏电阻多少阻值，亦指该值。
材料常数（热敏指数） B 值（ K ）
B 值被定义为：
RT1 ：温度 T1 （ K ）时的零功率电阻值。RT2 ：温度 T2
2025-08-18 22:31:36
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mos管是金属（metal）—氧化物（oxid）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
功率MOS管的导通电阻具有正温度系数，能够自动均流，因此可以并联工作。从MOSFET数据表的传输特性可以看到，25℃和175℃的VGS电压与ID电流值有一个交点，此交点的VGS为转折电压。在VGS转折电压以下的部分，RDS（ON）为负温度系数；而在VGS
2024-03-14 18:47:03
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