高温压力传感器研制的主要目的是解决高温恶劣环境下的压力测量问题，SiC是制造高温压力传感器的理想材料，结合薄膜技术与陶瓷厚膜技术，提出了一种新型的4H-SiC无线无源电容式高温压力传感器设计方案。应用Ansys有限元分析软件进行仿真， 600 ℃时灵敏度为2.65 MHz/bar，说明传感器在高温下具有较高的灵敏度，对制备过程中的关键工艺——SiC深刻蚀进行了验证，刻蚀深度达到124 m，满足传感器制备要求。
2021-04-22 16:25:45
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面向辐射探测应用的4H-SiC SBD器件电学性能仿真与优化 ，王伟，夏晓川，本文主要研究第三代宽带隙半导体4H-SiC材料制备的核辐射探测器a粒子辐射特性，利用Silvaco-TCAD软件进行了相关电学性能仿真。主要集中�
2021-04-20 19:38:33
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采用Volterra级数法对4H2SiC射频MESFET的大信号非线性特性进行了分析,并研究了器件尺寸与线性度的关系。模型考虑了陷阱效应对非线性特性的影响,模拟结果能够较好地反映实验结果。进一步分析表明,在1GHz和1. 01GHz频率下,当栅长从0. 8μm增大到1. 6μm,器件的输入(输出)三阶截取点从33. 55dBm (36. 26dBm)减小到18. 1dBm (13. 4dBm) , 1dB压缩点从24dBm下降到7. 43dBm。为实际器件的线性化设计提供理论依据。
2021-02-20 16:06:12
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Growth and Temperature-depending Raman characterization of different nitrogen-doped 4H-SiC crystals
2021-02-07 16:04:05
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Basal plane bending of 4H-SiC single crystals grown by sublimation method with different seed attachment methods
2021-02-07 16:04:01
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