采用UMC 0.13-μm CMOS工艺,设计了一种应用于SDH系统STM-64(10Gb/s)速率级的低电压供电光接收机前置放大器。采用1.2V低电压供电和三级共源放大结构,跨阻中频增益为57.5dBΩ,-3dB带宽为10.1GHz,总的等效输入噪声电流为1.47μA,相位裕度为73.7°,可稳定工作在10Gb/s速率。芯片面积为0.54mm×0.74mm。

依据带隙基准原理，采用华润上华（CSMC）0.5 μm互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺，设计了一种用于总线低电压差分信号（Bus Low Voltage Differential Signal，简称BLVDS）的总线收发器带隙基准电路。该电路有较低的温度系数和较高的电源抑制比。Hspice仿真结果表明，在电源电压VDD=3.3 V，温度T=25℃时，输出基准电压Vref=1.25 V。在温度范围为-45℃～+85℃时，输出电压的温度系数为20 pm/℃，电源电压的抑制比δ（PSRR）=-58.3 dB 。

给出基于0.13μm CMOS工艺、采用单时钟动态负载锁存器设计的四分频器。该四分频器由两级二分频器级联而成，级间采用缓冲电路实现隔离和电平匹配。后仿真结果表明其最高工作频率达37GHz，分频范围为27GHz。当电源电压为1.2V、工作频率为37GHz时，其功耗小于30mW，芯片面积为0.33×0.28 mm2 。

CMOS工艺技术,个人觉得还是不错的，比较完整

设计了一种1. 8 ～ 3. 3 V 的自偏置LDO 电路，无需外加基准电路，且具有良好的负载调整率和工艺兼容性。该电路采用无需双极型晶

CMOS工艺下高摆幅共源共栅偏置电路，高雪莲，骆丽，共源共栅级放大器可提供较高的输出阻抗和减少米勒效应，在放大器领域有很多的应用。本文提出一种COMS工艺下简单的高摆幅共源共栅��

一种基于65nm CMOS工艺的27.8KS/s, 0.35V，10位逐次逼近A/D转换器，朱樟明，邱政，设计实现了一款10位27.8KS/s 0.35V超低功耗逐次逼近型(SAR ) A/D转换器。提出了一种分段的三基准电容开关时序，有效地减小了电容D/A转换器�

这些是我课程设计时用到的，因为资源真的不好找，所以扣点资源分。希望对半导体集成电路课程设计的同学有所帮助。内容有mos和双极性晶体管等。

本文以比较器为基本电路，采用恒流源充放电技术，设计了一种基于1.0μm CMOS工艺的锯齿波振荡电路，并对其各单元组成电路的设计进行了阐述。同时利用Cadence Hspice仿真工具对电路进行了仿真模拟，结果表明，锯齿波信号的线性度较好，同时电源电压在5.0 V左右时，信号振荡频率变化很小;在适当的电源电压和温度变化范围内，振荡电路的性能较好，可广泛应用在PWM等各种电子电路中。

英文版介绍CMOS工艺流程 Basic CMOS Process Flow