AG9311是一款实现USB Type-C到HDMI数据转换器功能的单芯片解决方案，它的电路设计和原理图对于理解其工作原理至关重要。AG9311电路设计涉及多个部分，包括USB Type-C接口、HDMI信号处理、电源管理等。 在USB Type-C接口方面，AG9311支持USB Type-C接口的物理连接，并且能够处理与之相关的电源管理功能。USB Type-C接口支持多种角色，包括供电角色（Power Delivery），可以实现高速数据传输，并能够通过配置为接收端（Sink）或发送端（Source）来提供不同的功能。在AG9311的电路设计中，Type-C接口相关的引脚可能会包括VBUS，这是一个为设备提供电源的引脚；CC（Configuration Channel）引脚，用于设备之间的通信，以及SBU（Sideband Use）引脚，用于辅助通信。 HDMI信号处理方面，AG9311的电路设计中需要实现将USB Type-C接口传输过来的信号转换为HDMI信号，并将这些信号通过HDMI接口发送出去。这涉及到对HDMI信号的调制、编码和传输。设计中可能包含DP（Display Port）信号线、TMDS（Transition Minimized Differential Signaling）通道、以及相关的控制信号。例如，电路图中可能标有TX（Transmit）和RX（Receive）引脚，分别用于HDMI信号的发送和接收。 在电源管理方面，AG9311设计中将包括对不同电源域的管理，如DVDD33和DVDD12，这些是不同类型电源电压的标识，可能分别代表3.3伏和1.2伏的电源。设计还会涉及一些电压转换和稳压的电路，以确保芯片正常工作并为内部电路提供正确的电压。 AG9311电路设计可能还会包含I2C总线接口的控制逻辑。I2C是芯片内部通信的一种总线协议，电路设计中会有专门的I2C_SDA和I2C_SCL引脚，用于芯片与外部控制器之间的串行通信。 电路设计中还可能包含一些信号的调节电路，如滤波电容和电阻网络。这些元件用于控制信号的稳定性和滤除噪声，例如，文档内容中提到的C1、R1、R2等元件可能就是用于此目的的滤波电路的一部分。 在文档中，提到了一些特殊标识，如“Reserved for- the direct connect device”，这通常意味着某个特定引脚或者区域是为将来直接连接某种设备而预留的。 文档的内容中还提到了一些特定的集成电路标识，例如QS3306A和7261OE，这些通常是逻辑门电路或者开关电路，用于实现信号的切换或电平的控制。 整个AG9311电路设计参考资料PDF文件应该包含完整的原理图和设计细节，为设计者提供了关于如何将AG9311芯片集成到硬件系统中，并实现USB Type-C到HDMI转换功能的详细指导。这份资料对于了解AG9311芯片的工作方式以及如何在电路设计中应用它非常有价值。

Two-photon absorption in ZnO/ZnS and ZnO/ZnS/Ag core-shell quantum dots，LIU Shuyu，ZHONG Mianzeng，We report on large two-photon absorption (TPA) in ZnO/ZnS and ZnO/ZnS/Ag core/shell quantum dots (QDs), determined by both Z-scan and pump-probe techniques with femtosecond laser p

Ti对Al-Ag-Cu反应扩散连接SiCp/2618Al复合材料接头组织，舒大禹，黄继华，采用Al、Ag、Cu等混合粉末作为中间夹层对铝基复合材料（SiCp/2618Al）进行反应扩散连接，通过在中间夹层中添加Ti，研究了Ti对接头组织结

采用电泳沉积法在Ti片上制备TiN薄膜,在450℃下保温60min制备N掺杂TiO2薄膜（N-TiO2薄膜）,然后在不同浓度的AgNO3溶液中利用光还原沉积法制备负载Ag的N-TiO2薄膜。利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和紫外-可见吸收光谱（UV-Vis）对薄膜进行表征,通过测试瞬态光电流密度研究薄膜的光电性能,并以罗丹明B为降解目标物评价薄膜的光催化活性,重点研究了负载Ag对N-TiO2薄膜光电和光催化性能的影响规律。结果表明:AgNO3溶液浓度为0.05mol·L-1时,Ag的负载量最为适宜,N-TiO2薄膜的光电及光催化性能最佳;负载Ag的N-TiO2薄膜在可见光下的瞬态光电流密度约为N-TiO2薄膜的5.4倍;负载Ag显著提高了N-TiO2薄膜的光催化性能,经过可见光照射180min后,薄膜对罗丹明B的降解率达到98%。

金属纳米材料因其特有的局域表面等离激元共振(LSPR)特性而广泛应用于半导体材料发光、太阳能电池、表面增强拉曼散射探测、光电化学等领域。Ag由于其在特定波段极低的吸收损耗而被视为优秀的LSPR候选材料。以Ag纳米结构作为研究对象, 利用时域有限差分法(FDTD)对圆柱形Ag纳米结构的近场局域增强和远场散射特性进行了系统的模拟与分析。结果表明Ag纳米结构的尺寸、间距及衬底折射率均会对LSPR 效果产生显著影响, 可以通过改变结构参数来调控Ag纳米结构的LSPR特性。

AG数据集：新闻主题分类数据集，用于文本分类。

Ag/ZnO/RGO三元复合材料的制备及催化性能研究，郭 岩，王 琳，本文采用一步原位法合成了Ag/ZnO/RGO三元复合材料，通过SEM、TEM、EDS及XRD等测试进行结构表征。分析结果表明：Ag、ZnO纳米粒子均匀地分布

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IEEE 802.1AG-2007, CFM 标准.