文章所探讨的是轴向磁场磁通切换容错电机的电磁性能分析，主要基于等效磁路法（Equivalent Magnetic Circuit Method, EMC）。该研究由林明耀和徐妲进行，并在中国科技论文在线网站上发表了。文章利用非线性等效磁路模型来分析这种新型容错电机的静态特性，包括气隙磁通密度、永磁磁链、反电动势和电感特性。研究成果与有限元分析（Finite Element Method, FEM）的预测结果进行了对比，并通过原型电机的实验验证了等效磁路法的可行性。 关键词涵盖了容错性、轴向磁场、磁通切换、等效磁路以及电磁性能。容错电机是针对电驱动系统中可能出现的故障设计的，具有能够在发生故障后依然正常工作的能力。轴向磁场电机设计通常具备短的轴向长度和高的转矩密度，使它们适合用在要求紧凑型设计的应用中，例如电动汽车。 等效磁路法是一种将电机的复杂磁场简化为磁路的分析方法，通过等效的方式计算电机的电磁参数。与复杂的有限元分析方法相比，等效磁路法的计算速度更快，参数获取也更加直接，适合用于初步设计阶段的快速评估与分析。在实际应用中，这种方法能够帮助工程师快速确定电机的关键参数，如永磁材料的使用量和结构设计，以便进一步的详细设计和优化。 本文中提出的轴向磁场磁通切换容错电机（AFFSFT）是一种新型的磁通切换永磁电机（Flux-Switching Permanent Magnet Machine, FSPMM），该种电机近年来受到越来越多的关注。AFFSFT电机特别适合于需要高容错能力的场合，例如电动汽车。其结构上包括两个部分的定子和一个转子，均具有双凸极结构。与之不同的是，传统的径向磁场磁通切换永磁电机结构设计在轴向尺寸上更为复杂，而轴向磁场设计由于其结构简单，便于生产制造且维修方便，因此在高容错性要求的应用场景中具有潜在优势。 在电机的静态特性分析中，气隙磁通密度是一个核心参数，它直接关联到电机的转矩输出能力。而永磁磁链决定了电机永磁体的磁通量大小，是磁路分析中的一个关键变量。反电动势（back electromotive force, EMF）与电机的运行速度和负载状态有直接关系，是电机设计中不可忽视的参数。电感特性则影响电机在运行中的能量转换和效率表现。 文章中提到的电机拓扑是基于六定子齿和十转子极的三相AFFSFT电机。三维结构图显示了电机的物理形态，定子和转子均采用双凸极结构，永磁体和集中式电枢绕组放置在定子中。这种结构的电机设计旨在减少材料使用并简化制造过程，从而降低整体成本，同时保证了电机的运行性能。 通过三维有限元分析（FEA）和对原型AFFSFT电机的测试，验证了等效磁路模型预测的气隙磁通分布、反电动势波形和绕组电感的准确性。实验结果与理论分析的一致性证实了等效磁路法在电机静态特性分析中的有效性。 总而言之，林明耀和徐妲的研究通过等效磁路法对轴向磁场磁通切换容错电机进行电磁性能分析，不仅为电机的初步设计提供了有效的分析手段，而且为电机设计和优化提供了理论依据。这篇文章对于电磁理论的研究，特别是对于容错电机设计的研究者和工程师来说，是具有重要参考价值的首发论文。

外场激励传输线方程的回顾，王晓华，王秉中，本文分析了外场激励传输线的发展和存在的问题，比较了不同研究者的分析方法。最后我们对其今后在电磁兼容领域的研究给出了一些建

《沟槽栅场截止型IGBT功率器件模拟》 在电力电子系统中，尤其是在中高压领域，绝缘栅双极晶体管（IGBT）是相对于MOSFET和BJT更受青睐的开关器件。IGBT技术的发展日新月异，其中场截止型IGBT（FS-IGBT）因其在短路故障时间（tsc）、开启电压（Von）、开关速度以及在给定封装尺寸下的高电流承载能力等方面的优异表现，得到了广泛应用[1]。为了进一步提升器件性能，人们在FS-IGBT结构中引入了n型注入掺杂层，位于p阱层和n漂移层之间，这样的器件被称为NI-FS-IGBT[1]。 本项目利用Synopsys公司的TCAD Sentaurus™工具，进行了二维工艺、器件及混合模式的器件/电路模拟研究，以探讨NI-FS-IGBT的特性。Sentaurus是一款由Synopsys公司注册并拥有的商标，它提供了先进的半导体器件模拟功能，能够对复杂的半导体工艺和器件行为进行精确建模。 在工艺模拟阶段，Sentaurus Process被用来创建沟槽栅场截止型IGBT的结构。这个过程涉及多个步骤，包括定义材料、设置掺杂浓度、定义几何形状等，以形成具有n型注入层的器件结构。该n型注入层的掺杂浓度对器件的性能至关重要，因为它可以改善器件的导通电压和关断状态下的能量损失。 在器件模拟阶段，通过Sentaurus Device模拟了设备的关键特性，如集电极-栅极电压（Ic-Vg）曲线、集电极-发射极电压（Ic-Vc）曲线、电容特性和击穿电压。这些模拟结果有助于理解器件的工作原理和性能特征。同时，通过对开关特性的模拟，可以计算出器件在导通和关断状态下的能量消耗，这对于评估器件在实际应用中的效率至关重要。 进一步地，本项目还进行了电热模拟，这涉及到在短路操作条件下器件的失效时间分析。电热模拟考虑了器件工作时的热量产生和散热情况，对于理解和优化器件的热管理有重要意义。通过这些模拟，可以预测器件在极端条件下的稳定性，以及可能的热失效模式。 总结而言，本项目利用Sentaurus软件对沟槽栅场截止型IGBT进行了详尽的仿真研究，包括工艺设计、器件特性和电热特性，旨在通过n型注入掺杂层优化器件性能。这些研究成果对于提高IGBT的性能指标，如降低导通电压、减少关断状态的能量损失，以及增强短路耐受能力等方面提供了理论依据和技术支持，对IGBT的未来设计和应用具有深远影响。

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