本设计介绍的是THB8128大功率、高细分两相混合式步进电机驱动器设计，见附件下载其原理图和测试代码等。该THB8128步进电机驱动器支持双全桥MOSFET驱动，低导通电阻Ron=0.4Ω(上桥+下桥)。高耐压42V，大电流4.3A(峰值，实际应用中不超过40V,4A)。具有电源指示、控制输出指示LED灯。双全桥MOSFET驱动THB8128步进电机驱动器实物截图:
双全桥MOSFET驱动THB8128步进电机驱动器特点:
1、具有电源指示、控制输出指示。
2、转速可调、工作方式，工作电流、衰减方式均可通过拨码开关调节
3、抗干扰能力强
4、具有温度保护和过电流保护
5、可单独控制多种规格的两相混合式步进电机 6、可实现最大功率160W
附件资料截图:
2022-02-11 14:04:30
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1、资源内容：讲解了MOS管在实际应用中导致米勒震荡的成因，以及在逆变电路中寄生电压产生的原因。
2、使用人群：硬件工程师，电力电子方向工作的技术人员。
3、创作目的：和广大工程师一起交流一起成长。
2022-01-26 19:04:00
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功率半导体技术是半导体领域的重要研究内容之一,主要应用于现代电子系统的功率处理单元,是当今消费类电子、工业控制和国防装备等领域中的关键技术之一.本文概要介绍了功率半导体器件与集成技术的特点和应用范围,阐述了功率半导体器件与集成技术的发展现状和趋势,给出了未来技术发展路线图,最后梳理了未来技术发展的若干问题.
2022-01-26 11:01:32
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最大限度降低器件和印刷电路板(PCB)的寄生电感和电容是重要的设计考虑因素，可减少不希望的噪声。要在不同应用中驱动快速开关超级结MOSFET，必须对器件寄生效应影响和PCB布局寄生效应影响都了解。设计适合快速开关超级结MOSFET的栅极驱动电路时有许多因素需考虑。关于最大限度减少不必要的噪声有几项主要准则。
2022-01-07 17:40:59
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2022-2028全球与中国MOSFET和IGBT栅极驱动器市场现状及未来发展趋势.docx
2022-01-06 19:01:43
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功率 MOS FET应用说明：
1：电特性的意义和活用方法。2：功率MOSFET的破坏机理和对策。3：功率MOSFET的应用
2022-01-03 10:41:02
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