TCAD仿真MOSFET 用Silvaco Athena / Atlas模拟MOSFET

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1. 引言 　　本文设计的50MHz/250W 功率放大器采用美国APT公司生产的推挽式射频功率MOSFET管ARF448A/B进行设计。APT公司在其生产的射频功率MOSFET的内部结构和封装形式上都进行了优化设计，使之更适用于射频功率放大器。下面介绍该型号功率放大器的电路结构和设计步骤。 　　2．50MHz/250W射频功率放大器的设计 　　高压射频功率放大器的设计与传统低压固态射频功率放大器的设计过程有着显著的不同，以下50MHz/250W功率放大器的设计过程将有助于工程技术人员更好的掌握高压射频功率放大器的设计方法。 　　2.1射频功率MOSFET管ARF448A/B的特点

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MOSFET一级模型(Level=1) 描述I和V的平方率特性, 它考虑了衬底调制效应和沟道长度调制效应. * KP=µCox本征跨导参数 Cox =ox/Tox单位面积的栅氧化层电容 LO有效沟道长度, L版图栅长, LD沟道横向扩散长度 非饱和区 饱和区

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