2N7002是N沟道增强型垂直沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（Vertical DMOS FET），其特点和应用领域非常广泛，它通常被用于小功率的应用场合，比如小型家电产品、电脑周边设备、电源电路等。由于其体积小、电流大、功耗低，因此成为许多电子设计者的首选。 2N7002的主要特性包括： 1. 免受二次击穿影响：这使得2N7002在高电压和电流的运行环境下仍能保持稳定。 2. 低功耗驱动要求：意味着它在开关状态转换时消耗的能量较低，适合于需要低功耗设计的场合。 3. 并联容易：由于MOS管的输入阻抗很高，多个2N7002可以容易地并联使用，以满足更高电流的需求。 4. 低CISS和快速开关速度：CISS是输入电容，包括栅源电容和栅漏电容的总和。低CISS意味着在开关动作时可以快速充放电，进而实现快速的开关速度。 5. 优秀的热稳定性：保证了在较宽的温度范围内都能稳定工作。 6. 内置源-漏二极管：这对于一些需要体二极管的应用十分有利，比如同步整流等。 7. 高输入阻抗和高增益：高输入阻抗意味着对驱动电路的要求较低，而高增益则表明器件在小信号条件下也能产生较大的输出变化。 2N7002的应用非常广泛，包括但不限于以下领域： - 电机控制：由于其快速开关的特性，适合用于精确控制电机速度和方向的场合。 - 变换器：在DC/DC或AC/DC变换器中，用于电源管理的开关元件。 - 放大器：在音频放大器或模拟信号处理中使用。 - 开关：可以作为电子开关控制大功率电路。 - 电源供应电路：在设计各种电源电路中作为开关元件。 - 驱动器：包括继电器、电锤、电磁阀、灯泡、存储器、显示器、双极性晶体管等。 Supertex公司生产的2N7002运用了垂直DMOS结构，结合其硅栅制造工艺，使得该器件具备了类似双极型晶体管的功率处理能力，同时也具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数特性。与其他MOS结构器件一样，2N7002避免了热失控和热引起的二次击穿问题。 在2N7002的数据手册中，还包含了器件的封装选项、绝对最大额定值、热性能参数、引脚配置和标记信息，这为设计者提供了完整的使用参数和操作指导。 绝对最大额定值列出了器件的电压极限和温度范围，如漏源间电压（BVDSS/BVDGS）的最大值为60V，漏源间电压、漏栅间电压和栅源间电压的最大额定值为±30V，持续工作的结温范围为-55°C至+150°C。此外还指出了器件在贴片焊接时的最高温度为300°C，持续时间为10秒。 通过以上的特性分析，可以看出2N7002在电子工程领域具有重要的地位，它的特性使其成为实现各种电子设计的关键组件。

### 2N7002 N-通道增强型场效应管技术资料解析 #### 概述 2N7002是一种N-通道增强型场效应管（MOSFET），广泛应用于电子设备中作为开关元件。该器件采用的是Fairchild Semiconductor公司的专有高密度单元设计DMOS技术制造而成，具有低导通电阻、可靠性和快速切换性能等优点。适用于低压、小电流应用，例如小型伺服电机控制、功率MOSFET驱动器和其他开关应用。 #### 绝对最大额定值 绝对最大额定值是器件能够承受的最大工作条件，超过这些条件可能会导致器件损坏或性能下降。 - **漏源电压**（VDSS）：2N7002的最大漏源电压为60V，表示在栅极到源极电压为0时的最大漏源电压。 - **漏栅电压**（VDGR）：2N7002的最大漏栅电压为60V，当栅源电阻小于1兆欧姆时适用。 - **栅源电压**（VGSS）：连续状态下的最大栅源电压为±20V；非重复状态下（脉冲宽度小于50微秒）为±40V。 - **最大漏极电流**（ID）：连续状态下最大漏极电流为115mA；脉冲状态下可达800mA。 - **最大功耗**（PD）：2N7002的最大功耗为200mW，在环境温度高于25°C时需进行功率降额，降额系数为1.6mW/°C。 - **工作与存储温度范围**（TJ/TSTG）：-65°C至150°C。 - **焊接时的最大引线温度**（TL）：为300°C，持续时间不超过10秒且距离封装边缘1/16英寸处测量。 - **热特性**（RθJA）：结到环境的热阻为625°C/W。 #### 电气特性 电气特性描述了器件在正常操作条件下的性能参数。 - **漏源击穿电压**（BVDSS）：在栅极到源极电压为0V时，漏源之间的击穿电压至少为60V。 - **零栅压漏电流**（IDSS）：在栅极到源极电压为0V时，2N7002在48V的漏源电压下的漏电流最大为1μA；在60V的漏源电压下，该电流最大为0.5mA，此时的工作结温为125°C。 - **栅体正向泄漏电流**（IGSSF）：当栅极到源极电压为15V时，2N7002的栅体正向泄漏电流最大为100nA；当栅极到源极电压为20V时，该电流最大为100nA。 - **栅体反向泄漏电流**（IGSSR）：当栅极到源极电压为-15V时，2N7002的栅体反向泄漏电流最大为-10nA；当栅极到源极电压为-20V时，该电流最大为-100nA。 #### 特点 - **高密度单元设计**：通过降低导通电阻来提高效率。 - **电压控制的小信号开关**：适用于各种需要精确控制的应用。 - **坚固可靠**：能够在恶劣环境下稳定工作。 - **高饱和电流能力**：即使在高电流负载下也能保持良好的性能。 - **快速切换性能**：适用于高速开关电路。 #### 应用领域 2N7002特别适合于以下几种应用场景： - **小型伺服电机控制**：由于其低导通电阻和快速切换性能，非常适合用于控制小型伺服电机。 - **功率MOSFET驱动器**：在需要驱动较大电流的情况下，可以用作中间级放大器。 - **其他开关应用**：如电源管理、LED驱动器、电池充电控制器等。 2N7002是一款非常实用的N-通道增强型场效应管，适用于多种低压、小电流的应用场景，具有较高的性价比和可靠性。对于从事单片机硬件开发的工程师来说，了解和掌握2N7002的技术特性将有助于在设计过程中做出更加合适的选择。

Nmos芯片2n7002数据手册，内含相关关键参数与应用说明

2N7002一款可应用电平转换的NMOS.pdf