自问世以来的半个多世纪, 微电子和集成电路技术可谓发展神速, 其中光刻
技术的发展起到了重要推动作用。 而作为光刻技术发展的重要指标, 不断缩小的
关键尺寸则对如何改善产品线宽均匀度(Critical Dimension Uniformity, CDU) 等关
键参数提出了更高的要求。 光刻机焦平面偏差(Total Focus Deviation, TFD) 精度就
与产品线宽均匀度 CDU 的好坏有着紧密联系, 甚至会影响到产品的最小线宽。 因
此通过提高光刻机镜头的 TFD 精度, 可以达到改善产品线宽均匀度 CDU, 提高良
率的目的。
2023-02-23 10:29:13
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半导体
光刻
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