GM Editor(或Game Maker Editor)是一种帮助您编辑data.win(包含使用游戏引擎Game Maker制作的游戏数据的文件)的软件。 有一个项目保存/打开系统,因此您不必每次都手动打开文件和文件夹。 本软件基于quickbms和yoyogame的脚本对data.win进行反编译和重新编译
2026-04-19 04:52:13 5.55MB 开源软件
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AS7173+VL171设计电路图,AS7173 PCB电路,TypeC转DP双向8K60互转方案资料
2026-04-19 02:06:08 1.44MB
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内容概要:AS7173是一款高性能Type-C转DisplayPort双向转换芯片,适用于个人计算系统及其他新兴数字应用。该芯片支持PD 2.0/3.0协议,具备DP1.4重复输出能力,支持UFP、DFP和DRP多种CC配置模式,工作电压范围为3.3V至5.5V,并集成高达6KV的ESD保护功能。其采用透明化运行机制,无需重新定时或软件配置,简化了系统设计。封装形式为3mm×3mm的16引脚塑料QFN,适用于紧凑型设备集成。文档详细介绍了芯片的引脚定义、电气特性、绝对最大额定值及正常工作条件等关键参数。; 适合人群:从事接口转换芯片设计、嵌入式系统开发或电源管理相关工作的电子工程师、硬件研发人员;具备基本电路与通信协议知识的技术人员。; 使用场景及目标:①用于Type-C与DisplayPort之间的信号双向转换设计;②应用于笔记本电脑、扩展坞、显示器等需要音视频传输与快充协议兼容的设备中;③帮助开发者理解PD协议与Type-C物理层交互机制,优化产品兼容性与稳定性。; 阅读建议:此资源以技术规格书形式呈现,重点在于芯片的电气特性和引脚功能,建议结合实际硬件设计需求对照查阅,并关注PD协议兼容性与电源噪声控制等关键指标。
2026-04-19 02:05:45 434KB
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**标题:“acr122u读写工具”** 在IT领域中,智能卡读写器是一种常见的设备,用于与各种类型的智能卡进行交互,如接触式和非接触式卡片。ACR122U就是这样的一个设备,由Advanced Card Systems Ltd(ACS)生产,专门设计用于读取和写入NFC(近场通信)和RFID(无线频率识别)标签,尤其适用于MIFARE系列芯片。这款读写工具是针对ACR122U硬件的配套软件,能够使用户方便地管理和操作这些智能卡。 **描述:“acr122u的读写工具,很多地方都找不到的,在这里免费供给大家了,希望好评”** ACR122U的读写工具通常并不容易获取,因为它们可能受到版权保护或者只通过官方渠道提供。这个工具的提供者分享了这个资源,使用户无需四处寻找即可获得,这是一个非常宝贵的贡献。用户可以利用这个工具实现对ACR122U读写器的全面控制,包括读取卡片数据、写入新数据、初始化卡片等操作。为了回馈分享者的慷慨,用户可能会给予好评,以表达感谢和认可。 **标签:“acr122u”** "acr122u"标签明确指出这个工具是专门为ACS公司的ACR122U读写器设计的。ACR122U是一个符合PC/SC(个人计算/智能卡)标准的USB设备,支持ISO 14443A标准的非接触式智能卡,如MIFARE Classic、MIFARE Ultralight和MIFARE DESFire等。因此,这个工具对于开发人员、系统集成商以及任何需要处理这些类型卡片的用户来说非常有用。 **压缩包子文件的文件名称列表:** 1. **PCSC Mifare2(122U读写软件).exe** - 这是一个可执行文件,可能是ACR122U读写工具的主程序,它使用了PC/SC(Personal Computer/Smart Card)接口,这是操作系统级别的标准,允许应用程序通过通用的API与智能卡读写器通信。此程序可能包含驱动程序安装和读写软件的用户界面。 2. **MFC ACR122U读写软件.htm** - 这是一个HTML文件,很可能包含了关于如何使用该读写软件的详细指南,包括如何连接读写器、设置参数、读写卡片等步骤。用户可以通过阅读这个文件来了解如何操作ACR122U读写器。 3. **使用说明.txt** - 这是一个纯文本文件,提供了使用ACR122U读写工具的基本步骤和注意事项。可能包括了系统要求、安装过程、常见问题解答等内容,对于初次使用者来说是非常有用的参考资料。 这个“acr122u读写工具”包含了完整的ACR122U读写器软件套件,能够帮助用户有效管理和操作MIFARE系列和其他兼容的RFID卡片。通过提供的指南和说明,用户可以轻松上手,完成从数据读取到写入的各类任务。这个工具的共享为那些需要与ACR122U配合工作的开发者和爱好者提供了极大的便利。
2026-04-19 01:05:20 1019KB acr122u
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提出了寻找类似重矢量T夸克的对的方法,主要针对T夸克衰变到W玻色子和b-夸克。 该搜索基于2015年和2016年在CERN大型强子对撞机上使用ATLAS探测器记录的s = 13 $$ \ sqrt {s} = 13 $$ TeV的pp碰撞的36.1 fb -1。 在轻子加喷射器的最终状态下分析数据,包括至少一个b标记的喷射器和一个大半径的喷射器,该喷射器被确定为源自高动量W玻色子的强子衰变。 在重建的T质量分布中未观察到与标准模型期望值的显着偏差。 假设相对于Wb的分支比为100%,观察到的T质量的95%置信水平下限为1350 GeV。 在SU(2)单重态方案中,下限为1170 GeV。 该搜索对衰落为Wt和其他最终状态的重矢量状B夸克也很敏感。 因此,假设相对于Wt的分支比为100%,则重新解释结果以提供1250 GeV时B夸克质量的95%置信水平下限; 在SU(2)单重态方案中,限制为1080 GeV。 T和B产生的质量极限也根据衰变支化比进行设置。 发现100%的分支比率限制适用于分别衰减到Wb和Wt的重矢量状Y和X生成。
2026-04-18 23:54:26 1.33MB Open Access
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研究了通过矢量-玻色子融合产生的标准模型希格斯玻色子的bb衰减。 考虑了三个互斥的通道:两个全强子通道和一个与光子相关的通道。 在LHC上使用ATLAS检测器对s = 13 TeV时高达pp数据的30.6 fb-1的分析报告了结果。 从组合分析得出的相对于标准模型预测的测量信号强度,对于包容性希格斯玻色子产生为2.5-1.3 + 1.4,对于矢量-玻色子融合产生仅为3.0-1.6 + 1.7。
2026-04-18 23:19:13 735KB Open Access
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推算了双圆弧拟合非圆曲线的数学模型,计算了在允许误差范围内节点表达式,编写了基于宏程序的双圆弧法拟合双曲线的节点计算程序和双曲线型零件加工程序,解决了在只有圆弧和直线插补的数控机床上加工非圆曲线型零件的问题。 中的“基于双圆弧法的双曲线型零件加工”是指在数控加工领域,使用双圆弧拟合技术来处理双曲线形状的零件。这种方法是为了解决只有直线和圆弧插补功能的数控机床无法直接加工非圆曲线的问题。 中提到的“推算双圆弧拟合非圆曲线的数学模型”,是通过数学建模来近似非圆曲线,特别是双曲线,用两个相切的圆弧来逼近实际的双曲线形状。计算“在允许误差范围内的节点表达式”是指在保证加工精度的前提下,确定圆弧段与双曲线相切的交点,即节点的位置。而“基于宏程序的双圆弧法拟合双曲线的节点计算程序和双曲线型零件加工程序”的编写,则是为了实现这一过程的自动化,简化操作,提高加工效率。 中的“双曲线”、“双圆弧法”、“节点”和“宏程序”是关键词,分别对应着加工对象、拟合方法、关键几何元素以及实现这一方法的编程工具。双曲线是需要加工的几何形状,双圆弧法是拟合和加工这种形状的技术,节点是计算和编程中的关键点,宏程序则是实现这一算法的自动化编程手段。 【部分内容】虽然提到了滚削螺旋锥齿轮和对数螺旋锥齿轮的相关研究,但这部分主要是为了提供背景信息,展示在更广泛的机械制造领域中,非圆曲线加工的重要性。双圆弧法在这里的应用可以类比于处理这些复杂的齿轮形状,通过圆弧逼近来优化加工质量和效率。 总结来说,本文介绍了一种针对双曲线型零件的数控加工方法,即双圆弧法。这种方法通过数学建模计算出相切的圆弧节点,然后利用宏程序自动化处理这些节点,形成加工路径,以在只有直线和圆弧插补功能的数控机床上实现高精度的双曲线零件加工。这种方法有助于提升零件表面的光滑度,提高加工质量,同时也减少了人工计算的复杂性。
2026-04-18 22:50:52 243KB 双圆弧法
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时高箱包CAD学习版,好用。。。。。。。
2026-04-18 22:28:47 36.54MB
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本文详细介绍了Sentaurus TCAD中Sprocess的学习内容,包括工艺语法查看、单位确认、正胶反胶注意事项、掺杂区别、沉积和刻蚀的数学模拟方法等。此外,还提供了常用代码示例,如离子注入参数设置、网格细化、接触点定义等。文章还涉及ICWBEV的使用方法,如保存markup和layout文件、层命名文件以及仿真区域选取技巧。这些内容为Sentaurus TCAD用户提供了实用的操作指南和技术参考。 Sentaurus TCAD是半导体工艺仿真的重要工具,它允许工程师和研究人员模拟半导体器件的制造过程。本文详细介绍了Sentaurus TCAD中Sprocess的学习内容,对半导体工艺仿真有深入的指导意义。 文章从工艺语法查看和单位确认入手,这是进行半导体工艺仿真前的基础工作。工艺语法查看确保了仿真的准确性,而单位确认则是为了保证仿真结果的正确性。随后,文章详细讲解了正胶和反胶工艺的注意事项,这两种工艺在半导体制造中有着广泛的应用,理解其操作细节和注意事项对于保证产品的质量至关重要。 掺杂环节是半导体制造中的一个关键步骤,文章通过对掺杂区别的讨论,帮助用户理解不同掺杂方式对器件性能的影响。沉积和刻蚀是半导体制造中另一对重要工艺,它们的数学模拟方法是本文的一个重点内容。通过这些方法的模拟,可以预测实际加工过程中可能遇到的问题,从而提前做好优化和调整。 文章还提供了大量实用的代码示例,如离子注入参数的设置、网格细化、接触点的定义等。这些代码示例对于初学者来说是非常有价值的参考,可以帮助他们快速掌握Sentaurus TCAD的使用方法。 此外,本文还涉及了ICWBEV的使用方法,这是Sentaurus TCAD中的一个重要组件。ICWBEV主要负责处理设计的输入输出,文章详细讲解了如何保存markup和layout文件,层命名文件以及如何选取仿真区域等技巧。这些技巧对于提高仿真效率和准确性有着重要的作用。 Sentaurus TCAD学习[项目代码]为用户提供了丰富的内容,从基础的工艺语法到实际操作的代码示例,再到高级的ICWBEV使用方法,全面覆盖了半导体工艺仿真的各个方面。这篇文章不仅是一份操作指南,更是一本技术参考手册,对于从事半导体工艺仿真研究的专业人士来说,具有很高的实用价值。
2026-04-18 22:25:22 6KB
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可以使用HideToolz来隐藏进程,不怕老板检测到QQ聊天工具进程。 千万不要做坏事!!!!!!!!!!!!!!!!
2026-04-18 22:19:19 50KB 隐藏进程
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