意法半导体的STGAP2S单路电气隔离栅极驱动器提供26V的最大栅极驱动输出电压，准许用户选择独立的导通/关断输出或内部有源米勒钳位功能，可用于各种开关拓扑控制碳化硅（SiC）或硅MOSFET和IGBT功率晶体管。 STGAP2SCM配备一个有源米勒钳位专用引脚，为设计人员防止半桥配置晶体管意外导通提供一个简便的解决方案。在MOSFET关断状态时，该引脚可将所连MOSFET的栅电压限制在隔离接地电压，直到下一个真正的导通信号出现为止。 STGAP2SM具有独立的导通/关断输出，可配合两个外部栅极电阻来优化晶体管开关性能。 STGAP2S栅极驱动器全系标配4A轨到轨输出，即使驱动大功率逆变器，也能保证开关操作快速、高效。输入到输出传播延迟在80ns以内，在高开关频率下确保PWM控制精确，满足SiC器件的驱动要求。出色的抗dV / dt共模瞬变干扰能力，使其能够防止耗能的杂散开关操作。 这些器件内置1700V电气隔离功能，可以降低消费级或工业电机驱动器、600V或1200V变频器、DC / DC转换器、充电器、电焊机、感应炉、不间断电源（UPS）和功率因数校正（PFC）控制器的

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参考书籍 Hong Xiao. Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology. SPIE. 2012 萧宏. 半导体制造技术导论. 电子工业出版社，2012 施敏. 半导体器件物理与工艺. 苏州大学出版社, 2002 Peter Van Zant. 芯片制造——半导体工艺制程实用教程. 电子工业出版社 Michael Quirk, Julian Serda. 半导体制造技术. 电子工业出版社. 2009 *