PIFA 三频手机天线的设计 本资源摘要信息主要介绍了采用寄生单元的 PIFA 三频手机天线的设计。该设计以矩形微带贴片天线为基础，采用双层基片、两个贴片的结构，馈电方式采用 50Ω 同轴线馈电。通过寄生单元方式拓宽频带，满足 GSM900 /DCS1800 /ISM2450 三个频段的工作要求。该设计的主要特点是：使用时域有限差分法（FDTD）计算该天线的回波损耗和方向图，仿真结果表明，天线在三个工作频带内回波损耗 S11 ＜ 7.5dB（VSWR ＜ 2.5），增益大于 0dBi，满足了无线通信系统对频段和带宽的要求。 知识点一：PIFA 天线的设计 * PIFA 天线（平面倒 F 天线）是一种常见的微带天线，主要用于手机等无线通信设备。 * PIFA 天线的设计主要采取三种方法：①采用双、多分支贴片，使得各自工作于不同的模式、频段；②对于双频的天线，可以采用单一分支谐振，利用其基频 f0、二次谐波 2f0 来实现双频；③对于三频或更多频段的实现，可以采用寄生单元方式拓宽频带。 知识点二：时域有限差分法（FDTD） * 时域有限差分法（FDTD）是一种常用的电磁场仿真方法，用于计算天线的回波损耗和方向图。 * 该方法可以模拟天线在不同频率下的性能，帮助设计师优化天线的设计。 知识点三：寄生单元方式拓宽频带 * 寄生单元方式是一种常用的方法，用于拓宽频带，满足多频段的工作要求。 * 该方法可以通过添加寄生单元来扩展频段，满足设计要求。 知识点四：微带天线的多频段技术 * 微带天线的多频段技术主要是由手机等无线通信的需求推动着的，在手持终端上的天线多要求能够工作于两个甚至多个频段。 * 该技术可以满足不同的通信系统对频段和带宽的要求，例如 WLAN、Bluetooth 等。 知识点五：天线模型设计 * 天线模型设计是 PIFA 天线设计的关键一步，需要根据实际情况选择合适的天线模型。 * 该设计需要考虑天线的尺寸、结构、馈电方式等因素，以满足设计要求。

在电子设计领域，PCB（Printed Circuit Board）过孔是不可或缺的一部分，它允许不同层间的信号传输。然而，过孔并非理想元件，它存在寄生电容和电感，这些参数会影响电路性能，尤其是在高速数字电路设计中。本文将详细讨论PCB过孔的寄生电容和电感的计算方法以及如何在设计中有效利用和控制它们。 让我们了解PCB过孔的寄生电容。寄生电容主要由过孔与周围铺地层的相对位置决定。计算公式为C=1.41εTD1/(D2-D1)，其中ε是基板的介电常数，T是PCB板的厚度，D1是过孔焊盘直径，D2是阻焊区直径。例如，一个50mil厚的PCB板，20mil的焊盘直径，10mil的钻孔直径，40mil的阻焊区直径，根据公式计算得到的寄生电容大约为0.31pF。此电容会延长信号的上升时间，影响电路速度。设计时，可以通过增大过孔与铺铜区的距离或减小焊盘直径来降低寄生电容。 PCB过孔的寄生电感也不能忽视。寄生电感的计算公式为L=5.08h[ln(4h/d)+1]，其中L是过孔电感，h是过孔长度，d是中心钻孔直径。例如，同样条件下的过孔，其电感约为1.015nH。若信号上升时间为1ns，其等效阻抗将达到3.19Ω，这对高频电流的影响不容忽视，特别是在电源和地线通过两个过孔时，电感会成倍增加。 针对过孔的寄生效应，设计师应采取以下策略： 1. 根据成本和信号质量需求选择合适的过孔尺寸。电源和地线通常选用较大的过孔以减小阻抗，信号线则可选择较小的过孔。 2. 使用较薄的PCB板可以降低寄生参数，但成本可能会增加。 3. 尽可能让信号在同一层内走线，减少过孔使用。 4. 在信号换层的过孔附近添加接地过孔，提供最近的回路，也可以额外放置一些接地过孔。 5. 电源和地的过孔应尽可能靠近元器件管脚，且连线要短，可以并联多个过孔来减少等效电感。 6. 高密度高速PCB设计中，可以考虑使用微型过孔来减小寄生效应。 理解并控制PCB过孔的寄生电容和电感是优化高速PCB设计的关键。通过精确计算和合理布局，可以显著提升电路的性能和稳定性。

本篇文章全面介绍了电子负载的原理，尤其对电子负载在LED测量过程中存在的误区进行重点介绍。不仅如此，在本文当中还提出了一些可行的解决方法，以便得到较为稳定的电流数据。希望大家在阅读过本篇文章之后能够有所收获。 在LED电源测试中，电子负载扮演着至关重要的角色。然而，使用电子负载的过程中存在一些常见的误区，这可能导致测试结果的不准确，甚至影响LED电源产品的质量和安全性。本文旨在深入解析这些误区并提供解决方案。 电子负载的CV（Constant Voltage，恒定电压）模式是LED电源测试的基础。在CV模式下，电子负载通过电压负反馈电路来维持LED电源输出电流的稳定，以保持电容上的电荷平衡，从而达到恒定电压。决定CV精度的关键因素有两个：负载的带宽和LED电源输出电容的大小。如果负载带宽不足以跟踪电流变化，可能会导致输出电压震荡，增加电流纹波，影响测试结果的准确性。 负载带宽不足时，LED电源输出电流纹波高的问题尤为突出。此时，负载输入电压的剧烈变化会使LED输出电容进行大电流充放电，增大电流纹波。因此，选择具有足够带宽的电子负载至关重要。满量程电流上升时间是衡量负载带宽的一个间接指标，数值越小，表示负载响应速度越快，带宽越高。 此外，一些用户错误地认为数据跳动小的负载更适合LED测试。实际上，数据稳定性可以通过增加数据滤波时间来实现，但这可能导致低采样率下的测量结果失去准确性。为了确保测量的精确性，提高数据采样率才是关键。 在LED电源测试中，还需要关注以下几个要点： 1. 满量程电流上升时间：这是保证准确带载的基础，应尽可能选择数值较小的负载。 2. 数据采样率：高采样率能提供更准确的测量结果，应优先考虑。 3. Vpp（电压峰峰值）实时显示：Vpp的变化可以帮助判断测量数据的可信度。 4. 滤波速度调节功能：虽然可以改善数据稳定性，但不应过度依赖，因为过度滤波可能导致数据失真。 市场上有些号称专门用于LED电源测试的电子负载，可能实际上是通用电子负载改造而来，其带宽和采样率可能并不符合要求。这些负载可能会通过增加滤波强度、调整电压反馈环或内部加装电容来改善电流稳定性，但这可能导致测量结果的不可靠。 正确理解和使用电子负载对于LED电源的测试至关重要。在选择和操作电子负载时，应充分考虑带宽、采样率、Vpp监测和滤波等因素，以确保测试的准确性和有效性。同时，避免被市场上不合规的“专用”电子负载误导，确保选用具备高性能指标的设备，才能有效地评估和优化LED电源的性能。

1. MOS管开关电路学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件，也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流；而MOS管是压控流器件，也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流。MOSFET管是FET的一种，可以被制造为增强型或者耗尽型，P沟道或N沟道共四种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管。实际应用中，NMOS居多。 图1 左边是N沟道的MOS管，右边是P沟道的MOS管寄生二极管的方向如何判断呢？**它的判断规则就是对于N沟道，由S极指向D极；对于P沟道，由D极指向S极。 如何分辨三个极？D极单独位于一边，而G极是第4PIN。剩下的3个脚则是S极。它们的位置是相对固定的，记住这一点很有用。请注意：不论NMOS管还是PMOS管，上述PIN脚的确定方法都是一样的。 MOS管导通特性导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。NMOS的特性：Vgs大于某一值管子就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V就可以了。PMOS的特性：Vgs小于某一值管子就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。 下

摘要：设计了一种采用微带馈电的平面超宽带天线，并在该超宽带天线的基础上，通过在微带馈线的旁边加载U形寄生单元的方式，在3.1~10.6 GHz的通带内实现了3个频段的带陷特性。 　　本文所设计的天线采用Rogers RT/duroid 5880为基板，整体尺寸仅为23 mm×13 mm×0.508 mm,具有易加工、便于集成的特点。仿真和测试结果表明该天线在3.25~3.6 GHz,5.1~5.9 GHz和9.5~9.9 GHz处形成3个陷波频段，适合于超宽带系统的使用。 　　0 引言 　　随着2002年美国联邦通信委员会（FCC）通过决议批准将3.1~10.6 GHz的频率资源用于商业

寄生电容是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感，一个电阻的串联，低频情况下表现不明显，而高频情况下，等效值会增大。在计算中我们要考虑进去。　　ESL就是等效电感，ESR就是等效电阻。不管是电阻，电容，电感，还是二极管，三极管，MOS管，还有IC，在高频情况下要考虑到等效电容值，电感值。　　我们可看做是我们的各个管脚之间都是串接了一个电容在其旁边，如图所示，由于MOS管背部存在寄生电容，这会影响到我们的MOS管的开关断的时间。　　故此，如果MOS的开关速度很快的情况下，建议选型优先考虑到本身MOS管器件的内部的寄生电容的影响。　　如图所

LLC的优势之一就是能够在比较宽的负载范围内实现原边MOSFET的零电压开通（ZVS），MOSFET的开通损耗理论上就降为零了。要保证LLC原边MOSFET的ZVS，需要满足以下三个基本条件： 　　1）上下开关管50%占空比，1800对称的驱动电压波形； 　　2）感性谐振腔并有足够的感性电流； 　　3）要有足够的死区时间维持ZVS。 　　图a)是典型的LLC串联谐振电路。图b)是感性负载下MOSFET的工作波形。由于感性负载下，电流相位上会超前电压，因此保证了MOSFET运行的ZVS。要保证MOSFET运行在感性区，谐振电感上的谐振电流必须足够大，以确保MOSFET源漏间等效的寄生电容

本文提出了一种新的直接提取方法，用于确定HEMT的寄生电容。 该方法基于物理意义上的耗尽层模型和夹断式冷FET的两端口网络的理论分析。 这种方法的主要优点是可以在不同的夹断条件下提取寄生电容C-pg，C-pd和C-pdg。 对于2 x 20 m浇口宽度HEMT（浇口指的数量x单位浇口宽度），在建模结果和测量结果之间取得了良好的一致性。

通过在Colpitts振荡器中引入二次反馈项,观察到了新奇的双涡卷吸引子。这个具有反馈项的混沌系统具有3个平衡点,产生不同于Lorenz和Colpitts系统的复杂吸引子。对系统的一些基本特性,如平衡点、稳定性、Lyapunov指数谱、分岔图、相轨与庞加莱截面等进行了详细的分析。

版图 寄生参数版图 寄生参数 华为 华为