设计了一种可用于射频前端芯片供电的高电源抑制比（PSR）无片外电容CMOS低压差线性稳压器（LDO）。基于对全频段电源抑制比的详细分析，提出了一种PSR增强电路模块，使100 kHz和1MHz处的PSR分别提高了40 dB和30 dB；加入串联RC补偿网络，保证了电路的稳定性；在LDO输出至误差放大器输入的反馈回路引入低通滤波模块，降低了由于输出端接不同负载对反馈回路的影响。电路采用UMC 65 nm RF CMOS工艺进行设计和仿真，整个芯片面积为0.028 mm2，仿真结果表明，本文设计的LDO的相位裕度为86.8°，在100 kHz处，PSR为-84.4 dB，输出噪声为8.3 nV/[Hz]，在1 MHz处，PSRR为-50.6 dB，输出噪声为6.9 nV[Hz]，适合为噪声敏感的射频电路供电。
2021-01-28 16:07:59
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本作品采用LM2576-ADJ作为调整输出电压的主控器件，通过调整滑动变阻器来改变输出电压。同时利用AD0832来实现A/D转换和向数码管提供显示信息。本系统主要有整流滤波模块、输出电压控制模块（LM2576）、AD转换模块AD0832、单片机、DS18B20测温模块、数码管显示模块所组成，从而构成一个完整的数显可调稳压电源。该作品具有功耗低，输出电压稳定等优点！
2019-12-21 21:04:04
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