基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对Ge 掺杂(GexSi1-xC)的6H-SiC 电学、光学特性进行了理论计算和分析。杂质形成能的计算结果表明，Ge 原子占据Si 位后能量更低，更加稳定。通过对电子结构、态密度和光学性质的比较发现，6H-SiC 的价带顶主要由C 的2 p 态占据，而导带底由Si 的3 p 态占据。随着更多的Ge 掺入，导带底位置逐渐由Si 的3 p 态电子决定转变为Ge 的4 p 态电子决定，同时导带底向低能方向移动，带隙变窄。比较介电常数发现，对Ge 掺入最多的Ge0.333Si0.667C，其电子跃迁机理比6H-SiC 简单，吸收边及最大吸收峰分别向低能方向红移了0.9 eV 及3.5 eV。
2021-03-02 09:06:12
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掺有Fabry-Perot滤光片的全光纤宽波长可调th掺杂光纤环形激光器
2021-03-01 17:06:21
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研究了温度对掺杂铌酸锂晶体位相共轭的影响.实验表明,温度是提高位相共轭波前反射率的一种有效途径.并用全息光栅理论对此作了解释.
2021-02-26 17:04:46
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当量子点粒度分布为高斯分布时，应用有效质量近似，在低浓度掺杂范围内，得到了量子点荧光辐射谱线形函数与量子点尺寸之间的一般关系，解释了尺寸涨落对线形展宽的影响。对II-VI族的CdSe 量子点和IV-VI族的PbSe量子点的数值计算表明：量子点荧光谱线的半峰全宽、荧光辐射强度、峰值波长等与实验结果基本一致。量子点尺寸的粒度分布对荧光辐射谱线展宽有较大的影响。荧光辐射谱展宽是一种非均匀展宽。
2021-02-23 14:03:17
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用于超灵敏和高选择性有机磷蒸气检测的单壁碳纳米管化学电阻传感器的空穴掺杂和表面功能化
2021-02-23 09:04:43
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