基于液晶光子晶体的太赫兹波调制器

根据电磁场的边值关系。导出了不同于菲涅耳公式的晶体界面光振幅的关系，提出了晶体锥光干涉中两相干光的位相差和振幅的计算方法。计算结果用数字图像表示，能够直观地显示出晶体锥光干涉图的特征。对不同取向的铌酸锂晶片进行实验，实验干涉图与理论干涉图的特征完全一致。

基于Matlab的单轴晶体锥光干涉图样模拟

基于BP神经网络优化的光子晶体Mach-Zehnder干涉仪折射率传感性能分析。

基于平面波展开法,数值研究了不同参数对一维光子晶体带隙特征的影响。研究表明:归一化频率范围内的光入射一维光子晶体表面,产生多个光子带隙;当增大介质折射率差值时,带隙数量增多,带隙宽度增大,同时带隙中心频率向低频方向移动。实现全向光子禁带充要条件为,TE模式和TM模式的掠入射光锥内无传输态存在,同时,介质的布儒斯特角在光锥以外。

微分传输矩阵法(DTMM)可以解析求解一维非均匀介质中的波动方程。用该方法,对几种折射率连续且周期分布的一维光子晶体进行了带隙分析。结果表明,折射率连续变化的一维周期结构也具有明显的带隙特征,折射率变化越平缓,光带隙的宽度越小。对于折射率正弦变化的一维光子晶体,其折射率变化得越剧烈,光子晶体的中心频率越小,带隙越宽;同时,折射率的平均值越大,中心频率越小,带隙越窄。由于材料的物理特性都是连续变化的,同样可以把结构推广到一维周期性功能梯度材料。

 文中使用了一种较为简单但非常实用的设计方法，采用四节八晶体差接桥型电路，设计和研制出了一种小型化低损耗中等带宽的石英晶体滤波器。该产品的中心频率为10.7 MHz，通带带宽属中等，阻带抑制要求较高，插入损耗较小，矩形系数小，晶体滤波器外形尺寸偏小。解决的关键技术问题是：晶体滤波器电路的设计，滤波器晶体谐振器的设计，滤波器的插损IL≦3 dB、3 dB带宽Bw3dB≥±19 kHz、通带波动≦1 dB、阻带衰减≥60 dB（偏离中心频率50 kHz以外）等技术指标的实现。

9012、9013、9014、9015、9018 晶体三极管

最近提出的称为晶体结构算法的元启发式算法的多目标版本的代码 在许多优化问题中，主要目标是改进单个性能指标，其中该指标的最小值或最大值充分反映了从系统获得的响应的质量。但是，在某些情况下，不可能仅仅依靠单个指标，因此考虑了具有多个性能指标的多目标优化问题，其中所有指标的值都应该同时优化。上述过程需要一个多目标优化算法，可以处理同时索引问题的复杂性。本文介绍了最近提出的称为晶体结构算法 (CryStAl) 的元启发式算法的多目标版本，该算法的灵感来自于形成晶体结构的原理。对于这种称为 MOCryStAl 的算法的性能评估，使用了称为 CEC-09 的多目标优化的进化计算完成 (CEC) 的基准问题。一些现实世界的工程设计问题被用来评估所提出方法的效率。结果表明，所提出的方法可以在处理所考虑的多目标问题方面提供出色的结果。

基于表面等离子体共振(SPR)效应, 设计了一种采用双芯结构光子晶体光纤(PCF)作为光波导的横向应力传感器。通过建立SPR耦合波模型和PCF结构的形变模型, 利用全矢量有限元法进行数值模拟, 获得了基模共振峰的偏移量与横向应力的关系。结果表明共振峰波长的偏移量与所施加应力具有很好的线性关系。对PCF的截面结构进行优化设计, 通过选择适当的空气孔层数、直径和周期, 可获得较高的测量灵敏度。该研究可为基于SPR的PCF横向应力传感器的设计提供理论依据。