讨论了横向位移双曝光散斑图维纳谱的信息分布，并由此导出了杨氏条纹图的一般表达式.讨论了条纹可见度与应变、面内转动、照明光束直径与条纹图空间坐标的关系，指出了在条纹可见度影响下最大可见条纹数目.还讨论了散斑村比与衍射晕的关系.
2021-02-26 17:04:41
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动态检测时的曝光计算公式,相机工作距离计算公式,相机镜头计算公式,视野计算公式
2021-02-23 15:08:35
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高瓴资本持股大都有价值投资、长线投资的特点，其持有的股票适合稳健投资者参与
2021-02-20 19:02:52
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基于GaAs衬底采用全息光刻和湿法刻蚀技术制备周期孔阵图形。得出全息光刻双曝光最优曝光时间为60 s。采用H3PO4∶H202∶H2O=1∶1∶10 配比的刻蚀液，得出最佳刻蚀时间为30 s。扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)测试图片显示，孔阵周期为528 nm，刻蚀深度为124 nm，具有完美的表面形貌及良好均匀性和周期性。
2021-02-07 20:06:06
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光刻十步法：表面准备—涂光刻胶—软烘焙—对准和曝光—显影—硬烘焙—显影目测—刻蚀—光刻胶去除—最终目检.doc
2021-01-28 12:08:30
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