利用FDTD solutions软件对Ge波导进行仿真,上传内容为弯曲损耗随弯曲半径变化的脚本文件
2021-04-06 17:21:41 4KB FDTD
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GE Cimplicity 11 英文版part1,官方正版无授权
2021-03-25 17:04:12 800MB Cimplicity GE 英文版
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GE Cimplicity V11 无授权英文版安装源 part2
2021-03-25 17:04:12 554.41MB Cimplicity GE 英文版
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GE公司的OPC软件,驱动种类很全,无需授权直接安装使用。
2021-03-25 09:11:04 55.15MB IGS OPC Server Client
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Proficy Machine Edition V8.0官方原版下载,GE官方正式版,支持32位和64位操作系统
2021-03-22 09:44:44 938.07MB ge
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GE_FANUC数控系统远程诊断操作手册63454EN.pdf 介绍了关于GE_FANUC数控系统远程诊断操作手册63454EN的详细说明,提供FANUC的技术资料的下载。
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GE的Unicode危机 ექსთენშენი。 支持语言:English
2021-03-15 21:09:02 48KB 无障碍
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thermoelectric power factor of hole gas in Ge-Si core-shell nanowires
2021-03-15 10:08:08 1.79MB 文献
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基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对Ge 掺杂(GexSi1-xC)的6H-SiC 电学、光学特性进行了理论计算和分析。杂质形成能的计算结果表明,Ge 原子占据Si 位后能量更低,更加稳定。通过对电子结构、态密度和光学性质的比较发现,6H-SiC 的价带顶主要由C 的2 p 态占据,而导带底由Si 的3 p 态占据。随着更多的Ge 掺入,导带底位置逐渐由Si 的3 p 态电子决定转变为Ge 的4 p 态电子决定,同时导带底向低能方向移动,带隙变窄。比较介电常数发现,对Ge 掺入最多的Ge0.333Si0.667C,其电子跃迁机理比6H-SiC 简单,吸收边及最大吸收峰分别向低能方向红移了0.9 eV 及3.5 eV。
2021-03-02 09:06:12 2.73MB 6H-SiC Ge 掺杂 第一性原
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ge proficy machine edition v9.5软件简介:Proficy Machine Edition是一个高级的软件开发环境和机器层面自动化维护环境。它能由一个编程人员实现人机界面
2021-02-22 09:31:47 247B proficy pme machine ge
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