基于图像纹理和阴影的信息判断物理光学特性,根据该特性是否一致提出一种检测图像真实性的算法。通过建立线性规划方程限定楔形方向和角度,并运用共轭梯度法去判定正确的纹理信息。纹理限定的光源位置或楔形的交集都可以作为判定图像真实性的依据。结合阴影和纹理的约束条件,使得楔形的参数更加精确。实验结果显示,所建立的算法可以正确显示光源的信息和图像中物体的光学特性,并判断图像是否被篡改。
2021-07-26 13:00:26 478KB 纹理
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完整英文版IEC 62496-2:2017 Optical circuit boards - Basic test and measurement procedures - Part 2: General guidance for definition of measurement conditions for optical characteristics of optical circuit boards(光电线路板--基本测试和测量程序--第2部分:光学线路板光学特性测量条件定义的一般指南)。 IEC 62496-2:2017规定了一种定义光线路板光学特性测量条件的方法。该方法包括使用代码参考查询表来识别测量环境的不同关键方面。从表格中提取的值用于构建测量识别代码,该代码本身就能捕获关于测量条件的足够信息,从而确保独立测量结果在可接受范围内的一致性。对建议的测量条件作了具体规定,以尽量减少独立测量结果的进一步变化。
2021-04-05 09:03:14 21.29MB iec 62496-2 OCB 光学线路板
基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对Ge 掺杂(GexSi1-xC)的6H-SiC 电学、光学特性进行了理论计算和分析。杂质形成能的计算结果表明,Ge 原子占据Si 位后能量更低,更加稳定。通过对电子结构、态密度和光学性质的比较发现,6H-SiC 的价带顶主要由C 的2 p 态占据,而导带底由Si 的3 p 态占据。随着更多的Ge 掺入,导带底位置逐渐由Si 的3 p 态电子决定转变为Ge 的4 p 态电子决定,同时导带底向低能方向移动,带隙变窄。比较介电常数发现,对Ge 掺入最多的Ge0.333Si0.667C,其电子跃迁机理比6H-SiC 简单,吸收边及最大吸收峰分别向低能方向红移了0.9 eV 及3.5 eV。
2021-03-02 09:06:12 2.73MB 6H-SiC Ge 掺杂 第一性原
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溶胶-凝胶法Er_2O_3薄膜的结构和光学特性
2021-03-01 17:06:14 640KB 研究论文
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对氧化物薄膜的双离子束溅射沉积作了系统地实验研究。考察了离子束溅射工艺参数对薄膜光学特性的影响,制备了折射率接近于块材料的TiO2和ZrO2薄膜,显著降低了TiO2、ZrO2和SiO2薄膜的光吸收损耗,TiO2和ZrO2薄膜的抗激光损伤阈值得到显著提高。用双离子束溅射沉积1.06 μm多层高反膜,得到了大于99.5%的高反射率,经高温退火处理的双离子束溅射沉积高反膜的抗激光损伤阈值同热蒸发沉积的高反膜相比有所提高。
2021-02-26 17:04:54 2.3MB 离子束溅 薄膜 光学特性
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针对斜入射激光辐照光学薄膜的情况,将激光的电矢量正交分解为s偏振和p偏振,并从麦克斯韦方程组出发,求得激光在膜层中传输的电磁场分布,进而对薄膜的光学特性进行了数值分析。以高反膜为例,结果表明:随着入射角的增大,s偏振光的反射率、透射率和吸收率有微小的浮动;而p偏振光的反射率、透射率和吸收率有明显的变化,其反射率逐渐减小,透射率和吸收率逐渐增大;在高反膜中心波长附近,s偏振光和p偏振光均有一高反宽带,与s偏振光相比,p偏振光的宽带明显变窄,且p偏振光的吸收率相对较高。
2021-02-25 22:05:03 2.51MB 薄膜 斜入射 s偏振 p偏振
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尺寸为光波长量级的微纳结构材料与电磁波的相互作用,使得其具有许多特殊的光学性能,金属电介质金属微纳结构具有电磁波完美吸收特性。基于S参数法,研究十字阵列光吸收材料在红外波段的光学特性参数,分析其谐振吸收机理及光学特性参数调谐性。研究结果表明,十字阵列单元尺寸对其等效光学参数具有调谐作用;当材料表面与入射介质之间满足阻抗匹配条件,以及等效折射率系数虚部值足够大时,可以有效提高其吸收率;经过结构优化的十字阵列光吸收材料在红外波段具有大于95%的吸收率,实验样件测试结果大于80%。十字结构臂长和电介质层厚度决定吸收谱特性,而十字结构臂宽仅仅影响吸收谱峰值大小。十字阵列光吸收材料在红外波段的完美吸收及光谱调谐性特点,使其可用于红外探测和光谱成像等领域。
2021-02-05 20:08:36 4.79MB 光学器件 完美吸收 散射参数 红外探测
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