提出了一种可用于标准CMOS工艺下且具有二阶温度补偿电路的带隙基准源。所采用的PTAT2电流电路是利用了饱和区MOSFET的电流特性产生的，具有完全可以与标准CMOS工艺兼容的优点。针对在该工艺和电源电压下传统的启动电路难以启动的问题，引入了一个电阻，使其可以正常启动。基准核心电路中的共源共栅结构和串联BJT管有效地提高了电源抑制比，降低了温度系数。
2021-08-16 01:42:29
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经典的带隙基准是利用一个与温度成正比的电压与一个与温度成反比的电压之和，二者温度系数相互抵消，实现与温度无关的电压基准，约为1.25V。因为其基准电压与硅的带隙电压差不多，因而称为带隙基准。实际上利用的不是带隙电压。现在有些带隙基准结构输出电压与带隙电压也不一致。
2021-05-01 10:44:53
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