提出了一种可用于标准CMOS工艺下且具有二阶温度补偿电路的带隙基准源。所采用的PTAT2电流电路是利用了饱和区MOSFET的电流特性产生的，具有完全可以与标准CMOS工艺兼容的优点。针对在该工艺和电源电压下传统的启动电路难以启动的问题，引入了一个电阻，使其可以正常启动。基准核心电路中的共源共栅结构和串联BJT管有效地提高了电源抑制比，降低了温度系数。
2021-08-16 01:42:29
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温度传感器的采集硬件图 调试成功的，采用电桥平衡采集电压值来计算热敏电阻的阻止，采用放大器741，LM324放大点点路
2019-12-21 19:42:51
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